安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 34 毫欧 @ 4.6A,4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A | FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1003pF @ 6V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 23.1nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 12V |
FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 1.36W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
产品简介 DMC1030UFDBQ-7是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),集成了一个N沟道和一个P沟道的MOSFET,封装采用了U-DFN2020-6(2mm x 2mm)表面贴装型设计,适合于紧凑型和高效能的电路设计。这款MOSFET具有较低的导通电阻和良好的热管理性能,非常适合于功率开关、直流-直流转换器和其他高频应用场景。
关键参数
产品优势
应用场景 DMC1030UFDBQ-7适用于多种电子应用,具体包括但不限于:
总结 DMC1030UFDBQ-7是一款综合了高效能、可靠性与出色热管理特性的MOSFET,能够满足现代电子产品日益增长的性能需求。不论是在高频处理、功率管理还是严苛环境中,该元器件都能发挥其应有的作用。基于这些特性,DMC1030UFDBQ-7广泛适用于各种高性能电子设备,为设计工程师提供了更多可能性与灵活性。