SQD25N15-52_GE3
SQD25N15-52_GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 51nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2200pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 107W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SQD25N15-52_GE3手册
SQD25N15-52_GE3概述
SQD25N15-52_GE3 产品概述
产品名称: SQD25N15-52_GE3
类型: N通道 MOSFET
制造商: VISHAY（威世）
封装: TO-252-3（D-Pak）
一、原理与应用
SQD25N15-52_GE3 是一种高性能N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），主要用于电力电子器件的开关和放大应用。MOSFET因其高输入阻抗和快速开关特性，广泛应用于电源管理、继电器驱动、马达控制以及其他工业和消费电子设备中。该器件的最大漏源电压达150V，能够满足多种高电压应用需求。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 150V
- 该电压等级使得SQD25N15-52_GE3非常适合用于高电压的电力转换和分配系统。
电流 — 连续漏极电流（Id）: 25A
- 在标准的工作环境下，该MOSFET能够承受高达25A的连续电流，适合大功率负载。
导通电阻（Rds On）: 最大值52毫欧 @ 15A, 10V
- 低导通电阻降低了设备在高电流条件下的能量损耗，提高系统的整体效率。
门槛电压（Vgs(th)）: 最大4V @ 250µA
- 该特性表明MOSFET能够在较低的栅极驱动电压下导通，适用于低电压应用。
栅极电荷（Qg）: 最大值51nC @ 10V
- 此参数描述了在开关操作时，栅极电荷的要求，较低的Qg值有利于提升开关频率以及更快的开关响应。
输入电容（Ciss）: 最大值2200pF @ 25V
- 提供的输入电容值使得在高速开关操作时，器件具有较好的兼容性。
功率耗散: 最大107W（Tc）
- 该MOSFET能够在严苛的环境下长时间工作，适合大功率应用。
工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
- 该器件具有宽广的温度适应性，能够在极端环境下稳定运行，确保了设备的可靠性。
三、封装与安装
SQD25N15-52_GE3采用TO-252（D-Pak）封装，具有良好的散热性能和较小的空间占用，有助于在紧凑的PCB设计中进行有效的布局。在表面贴装技术（SMT）中，其封装形式易于集成和自动化焊接，适合现代电子设备生产的需求。
四、可靠性与优势
VISHAY的SQD25N15-52_GE3 MOSFET经过严格的质量控制和测试，其卓越的温度特性、低导通电阻和高耐压能力，使其成为实现高效率、紧凑和可靠电力解决方案的理想选择。无论是在高负载电源应用，还是在其他各种需要高电流、高电压的应用场合，此MOSFET均表现出色。
结论
SQD25N15-52_GE3 是高效、可靠的N通道MOSFET，适合用于多种电力电子应用。它的宽工作温度范围、低导通电阻和优异的散热性能使其在高功率密度和高效率的系统设计中成为了理想的选型。对于需求高电流和高电压的工程师及设计师而言，SQD25N15-52_GE3无疑是提升设备性能的优质选择。