晶体管类型 | 2 PNP(双)配对 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 175MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
BCM856BSH 是一款高性能的 PNP 型双晶体管(BJT),专为各种电子应用而设计。其独特的电气特性和结构封装,使其在信号放大和开关应用中表现出色。基于 Nexperia(安世)的技术,该器件在多个行业中都具有广泛的适用性,特别是在便携式设备、消费电子和工业控制领域。
BCM856BSH 由于其优良的特性通用于多种领域:
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BCM856BSH 是一款功能强大、适应能力强的 PNP 晶体管,非常适合在多种高性能电子设备中使用。它的高电流增益、低功耗和广泛的应用能力使其成为许多电子设计的理想选择。无论是在移动设备、消费电子,还是工业控制系统中,BCM856BSH 都能为设计提供可靠的性能支持。选择 Nexperia 的 BCM856BSH,助力您的项目成功与创新。