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ZVN4525GTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT223
包装 :
编带
重量 :
0.232g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 250V 310mA 1个N沟道 SOT-223-4
库存 :
1035(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.8按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.8
--
50+
￥2.16
--
1000+
￥1.8
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZVN4525GTA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 310mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.65nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±40V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 72pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
ZVN4525GTA手册
无数据
ZVN4525GTA概述
ZVN4525GTA 产品概述
一、基本信息
ZVN4525GTA 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），其最大漏源电压（Vdss）为 250V，具有高达 310mA 的连续漏极电流（Id），采用 SOT-223 表面贴装封装，适用于各种电子应用。这款 MOSFET 由 DIODES（美台）公司生产，以其优异的开关性能和导通特性，广泛应用于电源管理、开关电路及信号处理等领域。
二、技术参数
- FET 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 250V
- 连续漏极电流 (Id): 310mA（@ 25°C）
- 驱动电压: 2.5V (最小 Rds On)，10V (最大 Rds On)
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V，500mA 下，最大值为 8.5Ω
- 栅到源阈值电压 (Vgs(th)): @ 1mA 最大值为 1.8V
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 3.65nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 72pF @ 25V
- 功率耗散: 最大值为 2W（@ Ta）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型: SOT-223
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA
三、应用领域
ZVN4525GTA 的性能特征使其能够在许多高压和高频电路中表现出色。主要应用包括：
- 开关电源: 在 DC-DC 转换器中作为功率开关，支持高效的电能转换。
- 电机驱动: 可用于小功率电机的驱动控制，提供必要的控制电流和电压。
- 信号开关: 适合用于低功耗的信号开关和开关电路，可以在较低的栅电压下正常工作。
- 负载开关: 可以作为负载开关，具有较低的导通损耗，有利于节能和系统的可靠运行。
四、优点和特性
ZVN4525GTA 的设计和制造确保了其在高温、高压环境下的稳定性和可靠性：
- 高耐压性能: 250V 的漏源电压使其能够应对严苛的工作条件，非常适合需要高电压切换的应用。
- 低导通电阻: 在高电流下仍能保持较低的导通电阻（Rds On）意味着在运行过程中的功耗低，热量生成少，能够提高设备整体的效率和稳定性。
- 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C 的工作温度范围使其适合在各种环境条件下使用，特别是极端环境中的工业和汽车应用。
- 小巧的封装: SOT-223 封装使其在占用空间小的情况下，仍然可以处理较高的功率，适合空间受限的设计需求。
五、结论
综上所述，ZVN4525GTA 是一款高质量的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和坚固的封装设计，具备了在复杂电路中稳定、可靠运行的能力。无论是在电源管理、信号处理，还是在驱动电路中，ZVN4525GTA 都能够为工程师提供出色的解决方案。其完美平衡了性能与成本，成为广泛电子应用中的理想选择。