STN6N60M2
STN6N60M2参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | MDmesh™ M2 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 欧姆 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223-2 | 封装/外壳 | TO-261-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 220pF @ 100V |
STN6N60M2手册
STN6N60M2概述
STN6N60M2 产品概述
STN6N60M2 是意法半导体（STMicroelectronics）旗下 MDmesh™ M2 系列中的一款高性能 N-channel MOSFET（场效应管），其具备卓越的电气特性和可靠性，适用于各种高电压和高效率的开关应用。这款 MOSFET 采用 SOT-223-2 表面贴装封装，能够在极小的占板空间内实现强大的功率处理能力，非常适合现代电子电路设计需求。
主要特性与规格
电流承载能力：STN6N60M2 在 25°C 环境温度下的连续漏电流（Id）最大为 5.5A。这一特性使其能够在相对温和的工作条件下为各种负载提供稳定的电子开关解决方案。
高电压适用性：该 MOSFET 的漏源电压（Vdss）能够承受高达 600V 的电压，这使其适用于需要高电压环境的应用场合，如开关电源、逆变器和高压电机驱动技术。
导通电阻：在 2A 的电流和 10V 的栅极驱动电压下，STN6N60M2 的最大导通电阻为 1.25Ω。这一特性极大地降低了在开关状态下的能量损耗，有助于提高整体系统效率。
栅极驱动电压：该器件的最大栅极驱动电压为 ±25V，而在 10V 驱动下，其门极阈值电压（Vgs(th)）最大为 4V。这使得其在广泛的驱动条件下都能正常工作，适应性强。
功率耗散能力：STN6N60M2 具有 6W 的最大功率耗散能力，允许其在较高功率条件下工作而不会过热。其工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，符合多种工业环境的需求。
输入电容和栅极电荷：在 100V 电压和 10V 驱动下，输入电容（Ciss）最大为 220pF，而栅极电荷（Qg）为 6.2nC。这些参数有效地降低了开关损耗，使其适用于高频应用。
应用场景
STN6N60M2 的设计使其在多种应用场景中表现出色，包括：
开关电源（SMPS）：该 MOSFET 在开关电源中可用作主开关元件，有助于提高系统的运行效率和稳定性。
电机驱动：在电机驱动电路中，STN6N60M2 作为高效开关，可以驱动直流电机和步进电机，支持各类自动化设备。
逆变器：在太阳能逆变器和其他电压转换设备中，其高压能力和低功耗特性是理想选择。
照明控制：可以用于LED驱动和其他照明应用中，通过高效的开关控制，实现更好的电能利用率。
总结
STN6N60M2 是一款性能卓越的电子元器件，凭借其高电压承受能力、良好的导通电阻和广泛的工作温度范围，非常适合于高效能的电子开关应用。意法半导体的 MDmesh™ M2 技术提供了比传统 MOSFET 优越的性能，使得 STN6N60M2 成为现代电子设计中不可或缺的关键组件。无论在工业应用还是消费电子产品中，STN6N60M2 都能助力设计师和工程师实现更高的系统性能和效率。