MT40A512M16LY-075:E
MT40A512M16LY-075:E参数
| 存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - DDR4 | 存储容量 | 8Gb （512M x 16） |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 1.33GHz |
| 电压 - 供电 | 1.14V ~ 1.26V | 工作温度 | 0°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 96-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 96-FBGA（7.5x13.5） |
MT40A512M16LY-075:E手册
MT40A512M16LY-075:E概述
MT40A512M16LY-075:E 产品概述
产品背景
MT40A512M16LY-075:E 是由Micron（镁光）公司提供的一款高性能动态随机存取存储器（DRAM），属于DDR4系列产品。该器件专为满足现代计算系统对高容量、低功耗及高速数据处理需求而设计，尤其在数据中心、个人计算机、以及高性能计算等应用场景中表现优越。
主要特性
存储器类型: 易失性存储器，这意味着在断电情况下内部存储的数据会丢失，因此适合用于需要快速读写和频繁更新的场合。
存储器格式: 基于DDR4（双倍数据速率4代）技术，相较于前几代DDR技术，DDR4具有更低的电压和更高的传输速率，能够有效提高数据传输效率。
存储容量: 提供8Gb的存储容量，以512M x 16位的结构形式呈现，适合满足中高端应用对内存容量的需求，支持更大的数据缓存和更快的数据存取过程。
时钟频率: 1.33GHz的工作频率，意味着其数据传输速度可达到2133MT/s，能够支持快速的计算和大规模的数据处理。
电压供电: 工作电压范围在1.14V至1.26V之间，较低的电压不仅有利于降低功耗，而且符合对能效和热管理的严格要求。
工作温度: 该器件能够在0°C到95°C的宽泛温度范围内稳定工作，适应各种气候条件和环境因素，确保设备在严苛条件下的可靠性。
安装类型和封装: 采用96-FBGA（7.5x13.5mm）封装，表面贴装型安装，使得产品在空间受限的设计中极具优势，同时提高了PCB的布局灵活性和密度。
应用场景
MT40A512M16LY-075:E 被广泛应用于多种场景中，包括：
- 服务器和数据中心: 由于其高容量和高带宽特性，适合于需要快速访问和处理大量数据的服务器。
- 个人计算机和工作站: 在要求高性能的计算工作中，如内容创作、游戏及工程设计等领域。
- 网络设备: 适合于支持高数据流量和低延迟通讯的网络设备，如路由器与交换机。
- 嵌入式设备: 由于其较高的耐温性和小型化封装，适用于嵌入式系统和IoT设备。
性能优势
MT40A512M16LY-075:E 利用DDR4技术显著提升了数据处理速率，提供更高的数据吞吐量和带宽，适合多任务处理和繁重计算的需求。此外，低电压运作使其成为绿色环保产品的选择，为系统设计提供了更大的灵活性，并在功耗管理上具有较大的优势。
总结
Micron的MT40A512M16LY-075:E是一款集高性能、低功耗及可靠性于一体的DDR4 DRAM产品，它不仅能够满足现代计算应用的高效率需求，同时也能在多种环境条件下保证稳定性。此器件的广泛应用前景和卓越性能，使其成为电子产品设计中不可或缺的关键组成部分。对于追求极致性能和高效能的客户，MT40A512M16LY-075:E无疑是一个理想的选择。