ISS17EP06LMXTSA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-23-3
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 360mW 60V 300mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
5694(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.664按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.664
--
200+
￥0.428
--
1500+
￥0.373
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
ISS17EP06LMXTSA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 欧姆 @ 300mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 34µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 360W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.79nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 55pF @ 30V |
ISS17EP06LMXTSA1手册
无数据
ISS17EP06LMXTSA1概述
产品概述：ISS17EP06LMXTSA1
基本信息
ISS17EP06LMXTSA1是由英飞凌科技（Infineon Technologies）公司出品的一款高性能MOSFET，属于其OptiMOS™系列。这款P型通道场效应晶体管专为各种低功耗应用而设计，具备优良的电气特性和高效率，适用于不同的电子电路和系统。
关键参数
- 制造商：Infineon Technologies
- 系列：OptiMOS™
- 类型：P通道MOSFET
- 封装类型：SOT-23-3（TO-236-3、SC-59）
- 最大漏源电压（Vdss）：60V
- 最大连续漏极电流（Id）：300mA（在25°C下）
- 最大导通电阻（Rds On）：1.7Ω @ 300mA，10V
- 栅极源极电压（Vgs）：±20V
- 功率耗散（Pd）：360mW
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 栅极电荷（Qg）：最大值1.79nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：最大值55pF @ 30V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值2V @ 34µA
性能特点
ISS17EP06LMXTSA1在多种工作环境下表现出色，具备良好的热管理性能和卓越的电气特性。其能够承受高达60V的漏源电压，使其适用于一些较高电压的应用场景。此外，其300mA的连续漏极电流在多种电子设备中表现出理想的加载能力。
导通电阻（Rds On）为1.7Ω，这对于节能应用尤其重要，可以有效降低功耗并减少热量产生。其卓越的功率耗散能力（最高360mW）确保了该MOSFET在长时间运行过程中的稳定性和可靠性，而宽广的工作温度范围则使其适应各种苛刻的工作环境。
应用场景
ISS17EP06LMXTSA1非常适合于用于高效能电源管理的应用场景，例如：
- 开关电源：作为开关元件，管理电源的开启和关闭，优化能量利用。
- 电池管理系统：在电池充电和放电的过程中，通过高效导通提高电池使用效率。
- 便携式电子设备：由于其小巧的SOT-23-3封装类型，使其适合在空间有限的设备中使用。
- 电机驱动：在电动机控制中，提供高效和稳定的功率输出，适用于风扇、泵等应用。
封装与安装
ISS17EP06LMXTSA1采用表面贴装型（SMD）封装，封装类型为SOT-23-3。这种小尺寸封装使其能够与现代电子电路设计相适应，尤其在紧凑型设备中，为电路设计带来了极大的灵活性。安装效率高，适用于自动化流水线的快速生产。
总结
综上所述，ISS17EP06LMXTSA1是一款高效、可靠的P通道MOSFET，凭借其出色的电气性能和广泛的工作温度范围，适合多种高效能的电子应用。无论是用于电源管理、便携式设备，还是在电机控制领域，它都展现出卓越的性能和极强的适应性，是设计工程师们在选择电子元件时值得考虑的重要选项。