TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M) 产品概述

概述

TK10A50D是东芝公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，其专为高压、高效率的电源管理应用而设计。该器件在高达500V的漏源电压下提供了10A的持续漏极电流，能够有效满足各种工业及消费类电子产品的需求，尤其在电源转换、电机控制及照明等应用中表现出色。

主要参数与特性

1. 基本电气特性:

   • 漏源电压 (Vdss): 该器件可承受高达500V的漏源电压，确保其在高压电路中的稳定性和可靠性。
   • 连续漏极电流 (Id): 在环境温度25°C下，TK10A50D能够持续提供10A的电流输出，适合处理大型负载。
   • 导通电阻 (Rds(on)): 当Vgs为10V、Id为5A时，最大导通电阻为720毫欧，这一特性极大地减少了在开关操作时的功耗，提高了转换效率。

2. 栅极驱动特性:

   • 驱动电压: TK10A50D的最大驱动电压为±30V，适合多种驱动电路配置。
   • 门阈电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为4V（@1mA），使得在较低电压下就能迅速启动，提高电路响应速度。
   • 栅极电荷 (Qg): 10V下的栅极电荷最大为20nC，表明器件在开关过程中能达到较快的开关速度，降低驱动功耗。

3. 电容特性:

   • 输入电容 (Ciss): 在25V时，最大输入电容为1050pF，这对于高频应用的信号处理非常重要，能够降低高频时的信号失真。

4. 散热性能:

   • 功率耗散 (Pd): TK10A50D的最大功率耗散能力为45W（@Tc），这使得该器件在高功率应用中能有效处理热量，提高系统的稳定性。
   • 工作温度: 器件的工作温度达到了150°C（TJ），大大扩展了其在极端环境下的应用范围。

5. 封装与安装:

   • 封装类型: TK10A50D采用TO-220-3封装形式，适合通孔安装，这种设计既方便了散热，又便于PCB的布局，能够满足紧凑型设计的需求。

应用场景

TK10A50D的高压、高电流特性使其非常适合用于以下领域：

• 电源管理: 在开关电源和逆变器中，作为开关元件，提升整体能量转换效率。
• 电机驱动: 在电动机控制系统中，通过快速开关和高电流支持，实现对电动机的精准控制。
• LED照明: 在LED驱动电路中，保证稳定的电流输出，提升LED的亮度和寿命。

总结

TK10A50D是一款性能优越的N沟道MOSFET，具有高压、低导通电阻与良好的热管理能力，能够满足各种严格的应用需求。无论是在电源转换、电机驱动，还是LED照明领域，该器件皆能提供可靠的解决方案，是现代电子设备中不可或缺的关键元器件。通过其卓越的电气特性和耐用设计，TK10A50D为工程师在开发高性能电子产品时提供了强有力的支持。