制造商 | Infineon Technologies | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 最後搶購 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 85 @ 500mA,1V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
功率 - 最大值 | 5W | 基本产品编号 | BDP948 |
BDP948H6433XTMA1 是由著名的半导体制造商 Infineon Technologies 生产的一款具有优良性能的 PNP 型晶体管。这款三极管采用了现代的封装技术,适用于各种高效电路设计,特别适合要求高电流和低饱和压降的应用场景。
电流与电压规格: BDP948 的集电极电流(Ic)最大达到 3A,电压 - 集射极击穿(Vce)最大值为 45V。这使得该器件可以在相对高电压和电流的条件下工作,适应性强,广泛应用于电源管理和信号放大等领域。
饱和压降: 在 Ic 为 200mA 时,Vce 饱和压降最大值为 500mV。这种低饱和压降的特性使得该器件在开关操作中更加高效,能够减少功耗并提高系统的热效率。
高频率性能: BDP948 具有频率跃迁能力,最高可达到 100MHz,这为高频应用提供了支持,特别适合高频放大器、射频电路等设计。
DC 电流增益 (hFE): 在 500mA 和 1V 的条件下,BDP948 的 DC 电流增益 (hFE) 最小值为 85,表明其在放大信号方面具有良好的性能。这种特性使得其非常适合用于低噪声放大器和音频放大器等电路。
温度稳定性: 该晶体管能够在高达 150°C 的工作温度下稳定运行,这使得其在极端环境下也能够保持良好的性能非常理想。无需担心过高的温度导致性能下降或失效,适合用于工业和汽车等高温应用场景。
BDP948 采用 SOT-223 封装,适合表面贴装型安装。这种小型封装不仅可以节省电路板空间,同时也有优良的热传导性能,能够更好地散热,提升整体系统的可靠性。
BDP948H6433XTMA1 在多个领域具有广泛的应用,包括但不限于:
BDP948H6433XTMA1 是一款高性能的 PNP 三极管,适用于多种电子应用,其优越的电流、电压特性、低饱和压降和高频特性,使之成为设计师和工程师的理想选择。Infineon Technologies 的品牌保证了其在稳定性和可靠性方面的行业领先地位,是现代电子设计中不可多得的优质元器件。无论是在新产品开发还是现有产品的性能提升中,BDP948 都能够满足高要求的设计标准,为电子系统提供更为强大的支撑。