BSV236SP H6327 产品实物图片
BSV236SP H6327 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSV236SP H6327

商品编码: BM0075395884
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-SOT363-6
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
MOSFET P-Ch -20V -1.5A SOT-363-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.48
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.48
--
100+
¥1.14
--
750+
¥0.948
--
1500+
¥0.862
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSV236SP H6327参数

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BSV236SP H6327手册

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BSV236SP H6327概述

BSV236SP H6327 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款 N 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 PG-SOT363-6 封装。这款产品在电子电路中广泛应用,适用于各种功率管理和开关应用。

产品概述

BSV236SP H6327 是一款高性能 MOSFET,专为低电压和低功耗应用设计。其结构和电气特性使其成为绝大多数应用场景中的理想选择。该 MOSFET 具有极低的导通电阻(R_DS(on)),这意味着在开启状态下,器件的能量损失非常小,从而提高了系统的整体效率。这一特性特别适合于电源供应、负载开关和马达驱动等场合。

封装与尺寸

BSV236SP H6327 采用 PG-SOT363-6 封装,其封装尺寸小巧,非常适合需要节省空间的应用。PG-SOT363-6 封装允许在高密度电路板设计中使用,同时也为热管理提供了良好的条件。这种封装的结构有助于降低器件的热阻,进一步提升其散热性能。

电气特性

BSV236SP H6327 的主要电气特性包括:

  • V_DS(漏源电压): 25 V
  • I_D(连续漏电流): 6 A
  • R_DS(on)(导通电阻): 最高仅为 18 mΩ(@ V_GS = 10 V)
  • 门极电压(V_GS): 最高 20 V,确保了在各种工作条件下的稳定性。

其低的导通电阻使得 BSV236SP H6327 在进行高电流驱动时表现出色,减少了发热量,提升了系统的可靠性和效率。

应用领域

BSV236SP H6327 广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源: 该 MOSFET 可以在DC-DC转换器、AC-DC电源供应等应用中充当开关,以实现高效的能量转换。

  2. 负载开关: 在电池供电的设计中,可以用来控制电源的连接和断开,进一步延长设备的待机时间。

  3. 马达驱动: BSV236SP H6327 适用于无刷直流电动机(BLDC)和步进电动机的驱动,能够实现高效的电机控制。

  4. 通信设备: 在各类通信基站与网络设备中,BSV236SP H6327 可以用于信号调节及功率管理,提供稳定的性能。

  5. 消费类电子: 包括智能手机、平板电脑等设备中的功率管理模块,以优化电池使用效率。

结论

BSV236SP H6327 是一款小巧而高效的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能和紧凑的封装,成为各类电子产品中不可或缺的核心元件。适用于多个领域,从电源管理到马达驱动,BSV236SP H6327 都能提供可靠的解决方案。通过选择这款 MOSFET,设计工程师能够有效提升电路的整体效率,确保产品在性能与功耗之间的最佳平衡。