RF4E110BNTR
RF4E110BNTR参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.1 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | HUML2020L8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerUDFN |
RF4E110BNTR手册
RF4E110BNTR概述
产品概述：RF4E110BNTR N通道MOSFET
1. 概述
RF4E110BNTR是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），旨在满足现代电子设备对高电流和高效率的迫切需求。它适用于各种电源管理和功率转换应用，特别是在高效能功率放大和开关电源设计中尤为适用。该MOSFET具有出色的导通电阻性能和宽广的电压范围，可支持高达30V的漏源电压（V_DSS）和11A的连续漏极电流（I_D），使其在各种应用环境中表现出色。
2. 关键特性
漏源电压（V_DSS）: RF4E110BNTR能够承受高达30V的漏源电压，这使其适合用于低压应用，同时也能够处理多种电源电压情况，提供灵活的设计选择。
连续漏极电流（I_D）: 在25°C环境下，该器件可以提供最多11A的连续漏极电流。这意味着它可以稳定工作于高电流负载条件下，适合需要大电流驱动的电路。
低导通电阻（R_DS(on)）: 在10V栅极驱动电压下，该器件的最大导通电阻为11.1毫欧。低导通电阻不仅能够降低功耗，还能提高系统的整体效率，对于需要高频率和高效率转换的应用尤为重要。
栅极阈值电压（V_GS(th)）: 最大阈值电压为2V，在250μA的漏电流下测试。这允许在较低的栅极电压下进行开关操作，从而进一步确保高效能和紧凑的电路设计。
输入电容（C_iss）: 最大输入电容为1200pF，适于高频操作时保持快速开关特性。
温度特性: 工作温度范围高达150°C，这使得RF4E110BNTR在高温环境下亦能稳定工作，满足军工、工业等严苛环境的需求。
3. 应用场合
RF4E110BNTR被广泛应用于多种领域，包括但不限于：
开关电源: 该MOSFET在DC-DC转换器中表现出色，能够高效控制电压输出，并处理高功率电流。
电机驱动: 由于其高电流承载能力和快速开关特性，RF4E110BNTR适合用于电机驱动电路，为各类电机提供高效且稳定的驱动电源。
功率管理IC: 可以在电源管理集成电路中用作开关元件，提供精确的电源控制和管理。
电池管理系统: 支持高效率能量传输和快速开关操作，确保电池的安全和高效充放电。
4. 封装和安装
RF4E110BNTR采用表面贴装型封装（DFN2020-8D），这款8脚的UDFN封装设计不仅有助于节省PCB空间，还能有效提升散热性能，适应高功率应用需求。其紧凑的体积和低高度适合用于高集成度的设备设计。
5. 竞争优势
作为ROHM（罗姆）推出的高性能MOSFET，RF4E110BNTR凭借其低导通电阻、宽电压范围、和高电流处理能力，展现出领先的市场竞争优势。同时，其出色的热性能和工作温度范围使其成为设计人员在严苛工作环境中可靠的选择。
结论
RF4E110BNTR N通道MOSFET是一款集高电流、低导通电阻和卓越温度特性于一身的优质元器件，适用于现代电子产品中的多种应用。它的设计使其能够在高效能和高可靠性需求日益增加的背景下，在各种严苛条件下表现出色，是电子工程师进行电源管理、开关电源和电机驱动设计的理想选择。