IRFR4105ZTRPBF
IRFR4105ZTRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24.5 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 740pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 48W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR4105ZTRPBF手册
IRFR4105ZTRPBF概述
产品概述：IRFR4105ZTRPBF N通道 MOSFET
一、基本信息
IRFR4105ZTRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用了金属氧化物技术，专为各种电力管理应用而设计。该器件的额定漏源电压为 55V，且具有连续漏极电流 30A（在适当的散热条件下），非常适用于高要求的电源转换、逆变器及电动机驱动等场合。
二、关键参数
- 漏源电压 (Vdss)：该 MOSFET 的最大漏源电压为 55V，使其能够在较高的电压环境下工作，在确保系统的稳定性与安全性方面表现出色。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 时，器件的持续漏极电流达到 30A（针对温度控制条件），能够满足现代电子设备中对高电流的需求。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 10V 驱动电压下，最大导通电阻可低至 24.5 毫欧（@ 18A），这表明当器件导通时，能有效降低功率损耗并提升系统效率。
- 工作温度范围：该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C，保证了在极端环境下的可靠性，适合航天、汽车及工业制造等领域的苛刻要求。
- 功率耗散 (Pd)：最大功率耗散为 48W，确保在低导通电阻条件下运行时，器件能够处理高功率应用而不至于过热。
三、驱动与控制特性
IRFR4105ZTRPBF 的驱动电压最大可达 ±20V，适配多种控制信号源，适合与不同的驱动电路直接连接。其栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大为 4V，在较低的栅极电压下也能实现高效的导通能力。加之其最大栅极电荷 (Qg) 为 27nC（@ 10V），在高频开关应用中能够迅速充放电，从而提升开关速度并减少开关损耗。
四、封装与安装
IRFR4105ZTRPBF 采用 D-Pak (TO-252-3) 表面贴装型封装，便于自动化组装与工业化生产。D-Pak 封装不仅有助于降低安装成本，还具有良好的散热性能，有助于保持器件在高功率工作时的温度稳定。
五、应用场景
IRFR4105ZTRPBF 的应用领域广泛，主要包括但不限于以下几个方面：
电源管理：高效电源转换电路，例如 DC-DC 转换器，适合于电池供电系统中可持续性应用。
逆变器：在光伏逆变器和变频驱动中表现出色，有助于提升系统效率与整体性能。
电动汽车：特别适合在电动汽车的驱动控制与能量管理库中使用，以满足高功率和高电流的需求。
家用电器与工业设备：在各类家电和工业设备中，提供可靠的电源开关解决方案。
六、总结
综上所述，IRFR4105ZTRPBF 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET。无论是在电源管理、逆变器还是电动汽车领域，其高效的电流承载能力和宽广的工作温度范围都使其成为理想的选择。基于 Infineon 的高端技术，IRFR4105ZTRPBF 不仅满足现代电子设备对低功耗和高可靠性的要求，同时也推动了多种工业应用的发展。无论是设计工程师还是产业应用方案开发者，都应该考虑将 IRFR4105ZTRPBF 纳入到其设计与应用中，充分发挥其优越的电气性能。