FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.3 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 49µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 30nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4400pF @ 30V |
FET 功能 | 标准 | 功率耗散(最大值) | 83W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SuperSO8 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC0702LSATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 通道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足高功率和高效率应用的需求。该器件采用先进的金属氧化物半导体技术,具有优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、驱动电路、以及电动汽车和工业控制设备等领域。
该产品的设计符合高性能需求,并具备广泛的适应性,能够在严格的温度条件下正常工作。
BSC0702LSATMA1 的设计旨在提供高导电性和低导通电阻,从而在高频开关模式下显著降低功率损失。当在高负载条件下使用时,其低 Rds On 值可有效提高整体电路效率,减少能量损耗并延长设备使用寿命。此外,该 MOSFET 的高输入电容值和栅极电荷表明其在高速开关操作中的优越性能,适合要求快速开关的应用。
BSC0702LSATMA1 主要应用于以下领域:
该器件采用 SuperSO8 或 PowerTDFN-8 封装,具备优秀的散热能力和小型化特性,适合空间受限的应用场合。同时,表面贴装(SMD)技术使得其在PCB板上安装更加简便,有助于提高生产效率。
BSC0702LSATMA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和广泛的应用适配性,成为电源管理及驱动系统中的理想选择。它的设计理念符合现代电子设备对高效能、高可靠性的要求,不仅推动了电子技术的发展,也为用户提供了更为优异的解决方案。在全球市场上,该器件将继续发挥其价值,助力行业的持续创新与技术进步。