BSC0702LSATMA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC0702LSATMA1

商品编码: BM0074151265
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) BSC0702LSATMA1 PowerTDFN-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.03
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.03
--
100+
¥3.37
--
1250+
¥3.12
--
2500+
¥2.97
--
5000+
¥2.83
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC0702LSATMA1参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 49µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)30nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4400pF @ 30V
FET 功能标准功率耗散(最大值)83W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装SuperSO8封装/外壳8-PowerTDFN

BSC0702LSATMA1手册

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BSC0702LSATMA1概述

BSC0702LSATMA1 产品概述

1. 产品简介

BSC0702LSATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 通道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足高功率和高效率应用的需求。该器件采用先进的金属氧化物半导体技术,具有优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、驱动电路、以及电动汽车和工业控制设备等领域。

2. 主要规格

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压 (Vdss): 60V
  • 最大连续漏极电流 (Id): 100A(在 Tc=25°C 时)
  • 驱动电压: 4.5V (最小 Rds On),10V (最大 Rds On)
  • 导通电阻 (Rds On): 在 10V 驱动电压下,@50A 时最大值为 2.3mΩ
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.3V,@49µA
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 30nC,@4.5V
  • 最大 Vgs: ±20V
  • 输入电容 (Ciss): 在 30V 时,最大值为 4400pF
  • 功率耗散 (最大值): 83W(在 Tc=25°C)
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 封装类型: SuperSO8 (TDFN-8)

该产品的设计符合高性能需求,并具备广泛的适应性,能够在严格的温度条件下正常工作。

3. 性能特点

BSC0702LSATMA1 的设计旨在提供高导电性和低导通电阻,从而在高频开关模式下显著降低功率损失。当在高负载条件下使用时,其低 Rds On 值可有效提高整体电路效率,减少能量损耗并延长设备使用寿命。此外,该 MOSFET 的高输入电容值和栅极电荷表明其在高速开关操作中的优越性能,适合要求快速开关的应用。

4. 应用领域

BSC0702LSATMA1 主要应用于以下领域:

  • 电源转换器: 包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等,MOSFET 是实现高效电压转换和负载调节的关键组件。
  • 电动汽车: 用于牵引电机控制、充电控制器及电池管理系统等环节,能在剧烈的动态条件下保持稳定工作。
  • 工业控制: 在伺服驱动、机器人、电机驱动等场合发挥卓越的控制效能。
  • 消费电子: 在各种便携式设备、计算机电源模块等领域,提供高效率能量管理。

5. 安装与封装

该器件采用 SuperSO8 或 PowerTDFN-8 封装,具备优秀的散热能力和小型化特性,适合空间受限的应用场合。同时,表面贴装(SMD)技术使得其在PCB板上安装更加简便,有助于提高生产效率。

6. 总结

BSC0702LSATMA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和广泛的应用适配性,成为电源管理及驱动系统中的理想选择。它的设计理念符合现代电子设备对高效能、高可靠性的要求,不仅推动了电子技术的发展,也为用户提供了更为优异的解决方案。在全球市场上,该器件将继续发挥其价值,助力行业的持续创新与技术进步。