MMBT4401WT1G

MMBT4401WT1G 产品概述

产品简介

MMBT4401WT1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的一款高性能 NPN 型晶体管。此器件以其出色的电流放大能力和广泛的工作温度范围，广泛应用于多种电子电路中，尤其适合用于需要小型化的表面贴装设备。它的封装形式为 SC-70-3（也称作 SOT-323），使其在现代电子设备中得以应用，尤其是在空间受限的情况如便携式设备。

基本参数

• 制造商: ON Semiconductor
• 晶体管类型: NPN
• 封装类型: SC-70-3（SOT-323）
• 零件状态: 有源
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 电流 - 集电极 (Ic) 的最大值: 600mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40V
• 功率 - 最大值: 150mW
• 频率 - 跃迁: 250MHz
• 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE): 最小值为 100，取决于工作条件（如 150mA，1V）
• Vce 饱和压降（最大值）: 750mV @ 50mA 和 500mA

设计特点

MMBT4401WT1G 的设计考虑了多种应用需求，其主要特点包括：

1. 优异的电流增益: 在 150mA 的工作条件下，器件能够提供至少 100 的 DC 电流增益，使得它能够在放大电路中有效工作，适合需要高增益的应用。

2. 紧凑的封装: SC-70-3 表面贴装封装使得该器件在 PCB（印刷电路板）设计中具有高度的灵活性，适合各类小型化电子设备。

3. 高频性能: 250MHz 的跃迁频率使得此晶体管可以用于高频信号放大和开关用途，拓宽了其应用范围。

4. 广泛的工作温度范围: 其工作温度范围从 -55°C 至 150°C，确保了在极端环境条件下的可靠性，适合汽车、工业和航空航天等应用。

5. 低功耗特性: 最大功率为 150mW，适合在需要低功耗的设计中使用，尤其是在移动设备和电池供电的应用中。

应用领域

MMBT4401WT1G 因其优秀的电性能而适用于多个领域，包括但不限于：

• 通信设备: 此晶体管可以用于 RF 放大器和调制解调器中，提升信号的质量和强度。
• 音频放大器: 在音频电路中作为信号放大和驱动器使用，保证清晰的声音输出。
• 开关电路: 其快速的开关特性使得它在各种开关电路中成为理想的选择。
• 传感器电路: 作为传感器信号的放大器，监控各种环境条件的数据。
• 消费电子产品: 在手机、平板电脑及其他便携式电子产品中用于信号放大及开关控制。

结论

MMBT4401WT1G 是一款极具性价比的 NPN 晶体管，凭借其小巧的封装设计、良好的电流增益和广泛的工作温度范围，使其在现代电子产品中得到了广泛的应用。无论是在通信、音频电路、开关应用或是传感器领域，该器件都能发挥出色的性能。因而，它是工程师和设计师在选择合适的晶体管时的重要选择之一。