安装类型 | 表面贴装型 | 技术 | FLASH - NOR |
写周期时间 - 字,页 | 50µs,2.4ms | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
存储器接口 | SPI - 四 I/O | 存储容量 | 16Mb (2M x 8) |
存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
时钟频率 | 120MHz | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
GD25Q16CTIGR 是北京兆易创新(Gigadevice)推出的一款具有高性能的NOR Flash存储器。此款存储器以其出色的存储速度、低功耗和宽工作温度范围,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要快速无失效读写的嵌入式系统、消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
存储容量 GD25Q16CTIGR 具有16Mbit(2M x 8)容量,适合用于存储较小容量的固件或数据,满足中低端消费产品以及高端设备的需求。
接口类型 该产品采用SPI接口 (Serial Peripheral Interface),并支持四个I/O通道(Quad I/O)。这种多通道设计极大地提升了数据传输的速度,尤其是在快速读取和写入操作时,能显著提高整体系统的性能。
工作电压 GD25Q16CTIGR 的供电电压范围为2.7V至3.6V,适应不同工作条件下的电源要求,使其能够广泛应用于各种电压敏感的应用环境中。
工作温度 此存储器具有-40°C至85°C的工作温度范围,特别适合在严酷环境下运行,保证了在极端温度条件下的可靠性和稳定性。
写周期时间 该产品在写入过程中具备极快的写周期时间:字的写入时间为50µs,页的写入更是迅速,仅需2.4ms。这一点在快速数据记录和实时处理的应用中尤为重要。
时钟频率 GD25Q16CTIGR支持高达120MHz的时钟频率,能够实现快速的数据读取和写入速率,为系统性能提供了强有力的保障。
封装类型 此款存储器采用8-SOP封装形式,体积小巧、便于表面贴装,适合高密度设计的PCBs(印刷电路板)。
GD25Q16CTIGR的广泛应用涵盖了多个领域,包括但不限于:
GD25Q16CTIGR 以其非易失性内存的特性,可以在断电的情况下保持数据的完整性,降低了系统在意外断电期间的数据丢失风险。同时,闪存技术的应用使得存储器具备快速写入和多次擦写的能力,符合现代几十万次读写周期的需求。此外,其高效的电源管理特性再加上宽广的工作电压和温度范围,使得这款存储器具有更强的适应性,能够适用于更广泛的应用场景。
GD25Q16CTIGR是一款高性能、低功耗、极具灵活性的NOR Flash存储器,特别适合对存储速度和工作环境有严格要求的电子产品。其卓越的技术参数、稳定的工作特性以及广泛的应用潜力,使其成为各类嵌入式系统和消费电子产品中不可或缺的核心组件。借助其可靠的解决方案,制造商能够开发出更高效、更智能的产品,以满足市场需求和用户期望。