注：图像仅供参考，请参阅产品规格
SUD19P06-60L-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-252-3
包装 :
编带
重量 :
0.374g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.7W；46W 60V 19A 1个P沟道 TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.32按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.32
--
100+
￥5.27
--
1000+
￥4.78
--
2000+
￥4.43
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SUD19P06-60L-E3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1710pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta），46W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SUD19P06-60L-E3手册
无数据
SUD19P06-60L-E3概述
SUD19P06-60L-E3 产品概述
概述
SUD19P06-60L-E3 是一款由威世（VISHAY）公司生产的 P 通道 MOSFET，具有高性能的电气特性和广泛的应用场景。作为一款表面贴装型的功率场效应管，其设计旨在满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。其额定漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流（Id）可达 19A，适合用作开关元件，信号放大器，以及功率转换等多种应用。
关键参数
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 19A（在 25°C 时，最大 Tc）
- 导通电阻 (Rds On): 60 毫欧 @ 10A，10V
- 栅源电压 (Vgs): 最大 ±20V
- 功率耗散: 最大 2.7W（环境温度 Ta），46W（结温 Tc）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（结温 TJ）
- 安装类型: 表面贴装
- 封装类型: TO-252（D-Pak）
性能特点
SUD19P06-60L-E3 的设计旨在提供优越的电气性能。其最大导通电阻 (Rds On) 在 10A 时仅为 60 毫欧，使得这款 MOSFET 具有极低的导通损耗，适合高效能的开关电源应用。在支持较高的栅极驱动电压（4.5V 到 10V）下，能够实现快速的开关速度，从而提高整个电路的工作效率。此外，其最大 Vgs (±20V) 的规格确保了在多种环境条件下的可靠操作。
应用场景
由于 SUD19P06-60L-E3 具有宽广的工作温度范围和优秀的电气特性，使其在多个领域具有广泛的应用潜力。常见的应用包括但不限于：
- 开关电源和 DC-DC 转换器
- 电机驱动控制
- 负载开关
- 现场可编程门阵列 (FPGA) 和其他数字电路中的功率管理
- 电动车辆的动力管理系统 这些应用均要求在较高的电流和电压条件下可靠工作，SUD19P06-60L-E3 以其杰出的性能满足了这一需求。
可靠性和耐用性
SUD19P06-60L-E3 具有极高的耐温性能，操作范围从 -55°C 到 175°C，确保在严苛环境下也能稳定工作。其散热能力强，Tc 下可承受至多 46W 的功率耗散，这使得在高负载条件下的冷却更为有效，保证组件的长期可靠性。
结论
SUD19P06-60L-E3 是一款高效且可靠的 P 通道 MOSFET，广泛适用于各种现代电子设备。其卓越的性能参数和坚固的结构设计，使之成为工业、消费电子、连接器和电源管理等领域的理想选择。使用 SUD19P06-60L-E3 可以为设计师提供灵活性，满足不同市场对高效能和低功耗的要求，从而提升最终产品的竞争力。