BSC160N10NS3G 产品实物图片
BSC160N10NS3G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC160N10NS3G

商品编码: BM0069168327
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 60W 100V 42A 1个N沟道 TDSON-8-EP(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.09
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.09
--
100+
¥2.96
--
1250+
¥2.9
--
2500+
¥2.88
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC160N10NS3G参数

功率(Pd)60W反向传输电容(Crss@Vds)11pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16mΩ@10V,33A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.7nF@50V连续漏极电流(Id)42A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@33uA

BSC160N10NS3G手册

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BSC160N10NS3G概述

产品概述:BSC160N10NS3G

一、概述

BSC160N10NS3G 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能 N 沟道场效应管(MOSFET),其设计参数使其适用于高效能电力转换、功率管理和开关应用。这款 MOSFET 可以承担 60W 的功率,能够在工作条件下承受高达 100V 的电压和 42A 的电流,在受到市场的广泛认可的同时,凭借其优越的性能以及高可靠性,成为电子工程师在设计电源和驱动电路时的首选。

二、主要特性

  1. 高电压和电流承载能力:BSC160N10NS3G 的最大漏极源极电压(V_DS)为 100V,最大漏极电流(I_D)可达到 42A,适合各类需要高功率承载的应用。

  2. 低导通电阻(R_DS(on)):该产品的导通电阻极低,这使得其在导通时的功耗显著降低,提高了整体效率。这一特性使其特别适合用在需要频繁开关的场景,如开关电源和电机驱动等。

  3. 快速开关特性:BSC160N10NS3G 提供了优秀的开关速度,适合于高频开关的应用场景,这对提升功率转换效率等至关重要。

  4. 优良的热管理性能:该 MOSFET 采用 PG-TDSON-8 封装,表面安装设计能够有效散热,提升了器件的热效率及稳定性。

  5. 可靠性高:该产品经过严格的质量控制,并符合业界标准,确保在各种条件下高效运行。它的长寿命与低故障率保证了终端产品的可靠性。

三、应用领域

BSC160N10NS3G 适用于多个电子产品领域,包括但不限于:

  1. 开关电源(SMPS):因其高导通效率和快速开关能力,适合用作开关电源电路中重要的功率开关组件。

  2. 电机驱动:特别适合于直流电动机和步进电机的驱动应用,可用于电动工具、小家电等产品。

  3. 电源管理电路:在各类电子设备中,作为电源管理的核心部分,能够实现高效的电力转换与分配。

  4. 电动车辆:在电动车辆的电机控制和电源管理系统中,BSC160N10NS3G 的高可靠性和优秀的电流承载能力使其成为理想选择。

  5. 消费电子产品:包括笔记本电脑、电视以及其他电器的电源模块等,能够有效提升产品的性能与效率。

四、设计注意事项

在使用 BSC160N10NS3G MOSFET 时,设计人员需要注意以下几点:

  1. 散热设计:虽然该元件能有效散热,但在高功率应用中,合理的散热设计仍是确保器件高效运作和延长寿命的关键。

  2. 驱动电路设计:确保 MOSFET 的驱动电路能够提供足够的栅极电压,以保证其在开关时能够迅速达到满意的导通状态。

  3. PCB布局:井然有序的布局能够降低信号干扰并提高工作效率,避免过长的导线和环路引起的 EMI(电磁干扰)问题。

五、总结

BSC160N10NS3G 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其超高的电压和电流承载能力、低导通电阻以及优良的热管理特性,成为各类电力电子应用中的优选元件。无论是开关电源,电机驱动,还是其他电源管理应用,BSC160N10NS3G 都能为设计师提供强大的支持,帮助实现高效、可靠的电力解决方案。其优异的性能与广泛的应用前景,充分展示了英飞凌在电子元器件领域的领导地位与技术实力。