类型 | 齐纳 | 单向通道 | 2 |
电压 - 反向断态(典型值) | 12V | 电压 - 击穿(最小值) | 13.3V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 19V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 12A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 300W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
SM12T1G是一款高效静电放电(ESD)保护器件,由著名企业安森美(ON Semiconductor)制造,采用SOT-23-3封装(TO-236),专为各种电子应用提供强大而可靠的过压保护。作为一种齐纳二极管,SM12T1G设计用于保护敏感电子元件免受瞬态电压和静电放电的影响,确保电子设备在严苛环境下的安全运行。
电压特性:
电流水平:
工作温度:
封装和安装:
SM12T1G适用于多种电子技术应用,特别是在需要保护敏感组件的环境中。它非常适合以下字段:
SM12T1G是一款性能卓越的静电放电保护器件,凭借其优越的电压特性和宽广的工作温度范围,适应了当前电子领域日益增长的保护需求。无论是在消费电子、工业设备,还是汽车电子领域,SM12T1G都展现了出色的功能性和可靠性,是设计工程师在电压保护方面的理想选择。通过使用SM12T1G,用户可以有效保证其产品的安全性和稳定性,提升整体系统的可靠性。