特性 | 自举电路,二极管仿真,状态标志 | 安装类型 | 表面贴装型 |
输出配置 | 半桥 | 技术 | 功率 MOSFET |
电流 - 输出/通道 | 50A | 电压 - 负载 | 4.5V ~ 24V |
接口 | PWM | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
故障保护 | UVLO | 电压 - 供电 | 4.5V ~ 5.5V |
负载类型 | 电感 | 应用 | 同步降压转换器 |
封装/外壳 | PowerPAK® MLP55-31L | 供应商器件封装 | PowerPAK® MLP55-31L |
SIC632ACD-T1-GE3是一款高性能的功率MOSFET器件,专为同步降压转换器应用设计,具有出色的电气特性和可靠性。该产品由知名品牌VISHAY(威世)制造,采用表面贴装(SMD)技术,便于快速安装与集成,适合各种现代电子产品的开发需求。
输出配置与技术:
电流与电压规格:
供电与工作环境:
故障保护与安全功能:
安装与封装:
SIC632ACD-T1-GE3广泛应用于各种领域,尤其是在需要高效能和高可靠性的电源管理和转换应用中。例如:
由于其卓越的性能本器件的应用范围不仅限于这些领域,还可以扩展到需要高功率处理和高转换效率的其他电子设备中。
SIC632ACD-T1-GE3凭借其高功率、高效率和广泛的应用范围,成为市场上可靠的选择。其集成的保护功能和优良的热管理特点,使其在高-demand应用中表现优异,因而受到工程师和设计师的青睐。通过采用这一器件,用户不仅能提升产品的性能,也能确保电路的安全和稳定性,促进设备在持续运行中的长寿命和可靠性。无论是研发新产品还是升级现有产品,SIC632ACD-T1-GE3都将是一个极具价值的投资。