SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3 产品概述

一、产品基本信息

SI1012X-T1-GE3 是 VISHAY（威世）出品的一款 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），该产品致力于为各种电子设备提供高效的开关和放大功能。凭借其卓越的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 广泛应用于功率管理、电源转换和负载驱动等多个领域。

二、技术参数

1. FET 类型: N 通道
2. 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
3. 漏源电压 (Vdss): 20V
4. 最高连续漏极电流 (Id): 500mA（在 25°C 条件下）
5. 驱动电压:
   • 最大 Rds On: 1.8V
   • 最小 Rds On: 4.5V
6. 导通电阻（Rds On): 最大值 700毫欧（在 4.5V, 600mA 条件下）
7. 门源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 900mV（在 250µA 条件下）
8. 栅极电荷 (Qg): 最大值 0.75nC（在 4.5V 条件下）
9. 栅极驱动电压 (Vgs): 最大值 ±6V
10. 功耗（最大值）: 250mW（在 25°C 条件下）
11. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（结温 TJ）
12. 封装类型: 表面贴装型
13. 封装/外壳材料: SC-89，SOT-490

三、产品应用

SI1012X-T1-GE3 均衡了强大的电气性能与小型化封装，适用于许多应用场景：

1. 功率管理: 在电源管理模块中，该 MOSFET 可用于高效的开关控制，优化电源转换效率。
2. 电机驱动: 该器件可用于电机控制和驱动，提供稳定的电流输出并降低功率损失。
3. LED 驱动: 在 LED 照明系统中，此 MOSFET 有助于实现高效的亮度调节和节能运行。
4. 便携式设备: 由于其低功耗和小型化设计，SI1012X-T1-GE3 特别适合于空间受限的便携式电子设备。

四、性能优势

1. 高效率: 低导通电阻（Rds On）显著降低了功率损耗，确保设备在高频开关条件下的性能稳定。
2. 宽工作温度范围: 该 MOSFET 可以在极端温度条件下（-55°C ~ 150°C）保持可靠运行，满足不同环境下的应用需求。
3. 小型化封装: SC-89 封装设计减少了电路板上的占地面积，使其适合于需要紧凑设计的多种设备。
4. 易于驱动: 适应低驱动电压（如 1.8V，4.5V）使得控制电路设计更为简便，有助于与多种现代数字电路兼容。

五、总结

SI1012X-T1-GE3是一款高性能N通道MOSFET，具有良好的电流承载能力和低功耗特性，适合用于各类电子电路的高效能驱动和开关控制。这款产品的广泛应用及可靠性，不仅为开发人员提供了灵活的设计选择，也为较为复杂的电气系统提供了高效解决方案。选择 SI1012X-T1-GE3，将为您的项目增加更多的可能性与性能保障。