功率(Pd) | 400mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@2.5V,2.0A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 405pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 2.8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
SI2301A 是一种高性能的 P 型场效应管(MOSFET),由友台半导体(UMW)生产,适用于各种低功耗和高效率的电子电路设计。该器件拥有额定功率为 400 mW、最大工作电压 20V 和连续电流能力达到 2.8A,封装采用 SOT-23,这使得 SI2301A 成为极具吸引力的选择,适合在空间受限的应用中使用。
这些规格使得 SI2301A 特别适合在低电压和中等负载条件下的开关电路应用。
SI2301A 广泛应用于多个电子设备,具体情况包括:
开关电源:在开关电源中,SI2301A 可用作输出开关元件,提供有效的电力转换。
马达驱动:该 MOSFET 可以用于 DC 马达驱动电路,实现对马达的高效控制与驱动,帮助提高能效和响应速度。
LED 驱动:在 LED 驱动电路中,运用 SI2301A 可实现对亮度的精确控制,确保稳定的电源供给,同时保持较低的功耗。
自动化设备:在工业自动化控制模块中,SI2301A 适用于传感器与控制单元之间的接口,提供可靠的信号传导和开关控制。
消费电子:在小型消费电子产品中,尤其是那些需要高效电源管理的产品,如便携式设备和智能手机,SI2301A 可有效提升能量使用率,延长设备续航。
SI2301A 的设计特点包括:
高开关速度:该元器件具备快速的开关特性,适合于高频率的应用,能够显著降低开关损耗。
低 R_DS(on):SI2301A 拥有较低的导通电阻(R_DS(on)),这意味着在导通状态下,内部能量损耗较小,从而提高了整体电路的故障。
热稳定性:通过采用优质的材料及结构设计,SI2301A 在较高的工作温度下仍能稳定工作,这使得它在多样化的应用环境中具有优越的可靠性。
小型化封装:SOT-23 封装设计使其能够满足现代科技产品日益趋向小型化的需求。小型封装还配合优秀的散热性能,可以有效减小整体电路板尺寸。
SI2301A 是一款集高性能与高可靠性于一体的 P 型 MOSFET,适合各类低功耗应用。无论是在开关电源、马达驱动、LED 驱动还是消费电子设备中,SI2301A 都能发挥其优越的特性来满足设计需求。友台半导体(UMW)的创新设计与高品质制造贯穿SI2301A的整个生命周期,使其在众多竞争者中脱颖而出。选择 SI2301A,不仅是对性能的追求,更是对产品质量和可靠性的承诺。