NTMFS5C430NLT1G
NTMFS5C430NLT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4300pF @ 20V |
| 基本产品编号 | NTMFS5 |
NTMFS5C430NLT1G手册
NTMFS5C430NLT1G概述
产品概述：NTMFS5C430NLT1G
一、基本信息
NTMFS5C430NLT1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，封装形式为 DFN-5（5x6mm）或 SO-FL-8。这款场效应管以其出色的电性能和广泛的应用范围而受到电子设计工程师的青睐。
二、产品特性
高电流承载能力: NTMFS5C430NLT1G 支持高达 200A 的连续漏极电流（Id），使其适用于高功率和高电流的应用场合，能够满足那些需要高效能和稳定性的电子设备需求。
优秀的导通电阻: 在 10V 的栅极驱动电压下，NTMFS5C430NLT1G 的导通电阻（Rds On）最大为 1.5 毫欧 (@ 50A)，这意味着在工作过程中能够极大减少功耗和发热问题，提高整体效率。
广泛的工作温度范围: 其工作温度范围为 -55°C 到 175°C（TJ），使其适合于严苛的工作条件。这一特点使产品能够在高温或极端环境中稳定运行，特别适合用于航空航天、汽车电子及工业控制等领域。
适配多种栅极驱动电压: 该 MOSFET 在 4.5V 和 10V 的驱动下均表现良好，允许设计师根据具体需要选择合适的栅极电压，以获得最佳性能。
快速开关特性: 具有最大栅极电荷 (Qg) 为 70nC @ 10V，这一特性保证了 MOSFET 可以快速响应于信号变化，适合高频开关应用，如 DC/DC 转换器、逆变器等。
低输入电容: 最大输入电容 (Ciss) 为 4300pF @ 20V，低输入电容减小了驱动电路的负担，提高了系统的可靠性和效率。
高功率耗散能力: 产品具有最大 3.8W（Ta）和 110W（Tc）的功率耗散能力，进一步加强了其在高功率应用中的适应性。
三、应用领域
NTMFS5C430NLT1G 的设计特点使其广泛应用于如下领域：
- 电源管理: 在各类电源转换和调节电路中，MOSFET 能够高效控制电流，提升整体能源利用效率。
- 电动汽车: 作为电动汽车电机驱动控制和充电系统的重要组件，具有出色的热管理和高效能特性。
- 工业控制: 在需要高电流和高频率的工业设备中，如伺服电机驱动和开关电源，NTMFS5C430NLT1G 能够提供所需的稳定性和可靠性。
- 航空航天: 适于严格的环境和温度要求中，满足高可靠性的应用需求。
四、总结
NTMFS5C430NLT1G 是一款高效能、高可靠性的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电性能和广泛的应用领域，成为设计师和工程师首选的电子元件之一。无论是在电源管理、电动汽车，还是在工业控制与航空航天等领域，这款 MOSFET 都展现出卓越的性能，满足现代电子设备对功率、效率与耐用性的严格要求。选择 NTMFS5C430NLT1G，就是为您的项目增添一份可靠与高效的保障。