SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SIS447DN-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，采用了 VISHAY（威世）公司的先进制造技术，专为高效电压控制和开关管理应用而设计。基于 PowerPAK® 1212-8 封装，此MOSFET 提供了优异的热性能和电气特性，适用于各种要求高电流、低导通电阻和广泛工作温度范围的电子设备。

二、主要技术参数

1. FET 类型：P 通道
2. 技术：MOSFET
3. 漏源电压（Vdss）：最高 20V
4. 连续漏极电流（Id）：18A（在 25°C 时，封套温度 TC）
5. 驱动电压：适合在 2.5V 至 10V 之间操作，以实现最小 Rds(on)
6. 导通电阻（Rds(on)）：最大值为 7.1 毫欧，对于 20A 的电流和 10V 的驱动电压条件下
7. 阈值电压（Vgs(th)）：最高 1.2V（在 250µA 流量条件下）
8. 栅极电荷（Qg）：在 10V 条件下，最大值 181nC
9. 栅源电压（Vgs）最大值：±12V
10. 输入电容（Ciss）：最大值 5590pF（在 10V 条件下）
11. 功率耗散：最大功耗 52W（在 TC 条件下）
12. 工作温度范围：广泛的工作温度范围为 -55°C 至 150°C
13. 封装类型：表面贴装，PowerPAK® 1212-8

三、应用场景

SIS447DN-T1-GE3 MOSFET 因其低导通电阻和高电流处理能力，广泛应用于如下领域：

1. 开关电源：在各种开关电源设计中作为主开关元件，其规格确保系统能高效工作，降低发热。
2. 电动机驱动：适合用于电动机驱动电路，尤其在逆变器和电动机控制器中，通过其可靠的性能和高开关频率支持更为高效的电能转换。
3. 电池管理系统：在电池充电和放电过程中，该MOSFET可用于有效的负载开关和电流管理，保证系统安全和高效性能。
4. 高效功率转换应用：如在DC-DC转换器中，不论是在升压还是降压应用场景，均可通过其极低的导通电阻实现降低传导损耗。

四、设计优势

SIS447DN-T1-GE3的设计参数组合提供了多项优势：

• 低导通电阻：在高负载条件下，其低Rds(on)可显著减少功率损耗，提高电源效率。
• 高电压承受能力：高达20V的漏源电压极大扩展了其适用范围，满足不同电路对电压的需求。
• 宽广的温度适应能力：-55°C至150°C的工作温度范围确保了在极端环境下的可靠性，特别适合于工业级和汽车电子产品。
• 适应性强：针对不同的Vgs和Id的工作条件，其性能表现良好，为设计师提供灵活的应用选择。

五、总结

作为VISHAY全系列MOSFET中的一款突出代表，SIS447DN-T1-GE3凭借其优越的电气性能、广泛的应用潜力和可靠的热管理能力，为现代电子产品的发展提供了强有力的支持。无论是在高效的电源管理系统，还是在苛刻的工业应用中，这款MOSFET均可表现出色，助力设计师在产品功能与绩效之间达到理想平衡。选择SIS447DN-T1-GE3，您将获得性能与可靠性兼具的优质解决方案。