FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 45 毫欧 @ 44A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 3mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 190nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6800pF @ 100V |
功率耗散(最大值) | 431W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
产品名称:IPW60R045CPFKSA1
制造商:Infineon Technologies
封装类型:TO-247-3
基础类型:N通道MOSFET
技术背景
IPW60R045CPFKSA1是Infineon的CoolMOS™ CP系列产品中的一款N通道MOSFET。CoolMOS™是Infineon开发的一种高性能MOSFET技术,旨在满足现代电子应用中对高效能和高可靠性的需求。该产品具有优秀的开关性能,适用于硬开关和软开关拓扑,广泛应用于耦合电容器(CCM)功率因数校正(PFC)、脉宽调制(PWM)电源转换器以及各类消费电子设备如ATX电源适配器、笔记本电脑适配器、平板显示器(PDP)和液晶电视(LCD TV)。
关键参数
IPW60R045CPFKSA1的关键性能特征有:
热特性
产品具有较高的功率耗散能力,最大为431W(Tc),同时工作温度范围宽广,可在-55°C至150°C的环境下稳定运行。这些特性使得该MOSFET特别适合高温和高电流密度的应用,如电源转换和工业控制等领域。
应用场景
IPW60R045CPFKSA1因其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于:
总结
IPW60R045CPFKSA1是一个设计精良的MOSFET,融入了Infineon在功率电子领域的尖端技术,能够满足复杂应用中对功率密度和系统效率的严格要求。凭借其宽广的工作温度范围和高耗散能力,该产品不仅提升了系统的整体性能,也为设计工程师提供了更多的设计灵活性。对于希望在节能和高效率之间找到最佳平衡的应用来说,IPW60R045CPFKSA1无疑是一个值得信赖的解决方案。