FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 43 毫欧 @ 3.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1647pF @ 75V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
IRF7815TRPBF 产品概述
IRF7815TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)出品的 N 通道 MOSFET,它专为需要高电压和高电流的应用而设计。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,具体为 8-SOIC(0.154" x 3.90mm),使其在现代电子设计中具备了广泛的适用性。IRF7815TRPBF 的主要参数包括漏源电压(Vdss)高达 150V,最大连续漏极电流(Id)达到 5.1A,使其非常适用于电源开关和功率放大等电路。
电气特性:
电容特性:
功率与耗散:
工作温度范围:
IRF7815TRPBF 的设计使其成为各种应用的理想选择,尤其在如下场景中表现卓越:
总体而言,IRF7815TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性与宽广的工作温度范围,使其在多种高压高电流的应用中表现卓越。凭借表面贴装技术,设计师能够轻松集成到现代电子产品中,以实现更小的体积和更高的效率。无论是在功率转换、负载开关还是电机驱动等领域,IRF7815TRPBF 均是值得信赖的选择。