IRF7815TRPBF 产品实物图片
IRF7815TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF7815TRPBF

商品编码: BM0060799032
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 150V 5.1A 1个N沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.15
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.15
--
100+
¥3.46
--
1000+
¥3.2
--
2000+
¥3.04
--
4000+
¥2.9
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7815TRPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)150V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)43 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)38nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1647pF @ 75V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

IRF7815TRPBF手册

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IRF7815TRPBF概述

IRF7815TRPBF 产品概述

IRF7815TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)出品的 N 通道 MOSFET,它专为需要高电压和高电流的应用而设计。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,具体为 8-SOIC(0.154" x 3.90mm),使其在现代电子设计中具备了广泛的适用性。IRF7815TRPBF 的主要参数包括漏源电压(Vdss)高达 150V,最大连续漏极电流(Id)达到 5.1A,使其非常适用于电源开关和功率放大等电路。

关键参数与特性

  1. 电气特性

    • 漏源电压 (Vdss):最高可达 150V,适合高电压应用。
    • 连续漏极电流 (Id):能够承受 5.1A 的电流,适合高功率负载。
    • 导通电阻 (Rds(on)):在 Vgs = 10V 和 Id = 3.1A 条件下,最大导通电阻为 43 毫欧,确保在导通状态下的功耗降至最小。
    • 栅源阈值电压 (Vgs(th)):最大值为 5V @ 100µA,能够兼容多种驱动电平,容易实现以低功耗开关。
    • 驱动电压:在最大 Rds On 下,建议的驱动电压为 10V,以确保器件操作在最佳状态。
  2. 电容特性

    • 输入电容 (Ciss):在 Vds = 75V 时的输入电容最大为 1647pF,这个参数影响了开关速度和频率响应,对于高频开关电源应用尤其重要。
  3. 功率与耗散

    • 功率耗散 (Pd):最大功率耗散为 2.5W(Ta),可以较为灵活地在不同的温度环境下运行,适用于温度多变的应用场景。
  4. 工作温度范围

    • IRF7815TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,确保其可以在极端环境下可靠工作,从而适合航空航天、工业控制和汽车电子等领域。

应用场景

IRF7815TRPBF 的设计使其成为各种应用的理想选择,尤其在如下场景中表现卓越:

  • 开关电源:由于其高电流和高电压特性,该 MOSFET 广泛用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器中。
  • 电机驱动:能够在高电压及高电流条件下稳定工作,非常适合于电机控制应用。
  • 负载开关:适用于控制和切换大功率负载,如照明系统和加热系统。
  • 汽车电子:在汽车中的电源管理、驱动电路和电池管理系统中,有广泛的应用前景。

结论

总体而言,IRF7815TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性与宽广的工作温度范围,使其在多种高压高电流的应用中表现卓越。凭借表面贴装技术,设计师能够轻松集成到现代电子产品中,以实现更小的体积和更高的效率。无论是在功率转换、负载开关还是电机驱动等领域,IRF7815TRPBF 均是值得信赖的选择。