注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMP6110SFDF-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
U-DFN2020-6
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.97W 60V 4.2A 1个P沟道 UDFN2020-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.42按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.42
--
100+
￥1.09
--
750+
￥0.911
--
1500+
￥0.827
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP6110SFDF-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 969pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 1.97W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMP6110SFDF-7手册
无数据
DMP6110SFDF-7概述
产品概述：DMP6110SFDF-7 MOSFET
一、引言
DMP6110SFDF-7 是由美台（DIODES）公司推出的一款高性能P通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用先进的U-DFN2020-6封装，具有出色的电气特性和宽广的工作温度范围，适用于各种低压和中压电源管理应用。
二、关键参数
DMP6110SFDF-7的主要规格包括漏源电压（Vdss）为60V，能够承受最大4.2A的连续漏极电流（Id）在25°C的环境下运行。这些特性使其在电源开关、同步整流和驱动电路等应用中具有广泛的适用性。
技术参数概述：
- FET类型：P通道
- 技术：MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）：4.2A @ 25°C
- 最大Rds On：110mΩ @ 4.5A，10V
- 阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：17.2nC @ 10V
- 最大驱动电压（Vgs.max）：±20V
- 输入电容（Ciss）：969pF @ 30V
- 功率耗散：1.97W
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：U-DFN2020-6（表面贴装型）
三、特性与优势
高效能：DMP6110SFDF-7 具有低导通电阻（Rds On）特性，可以显著降低功耗，提升电源效率，尤其适合在高频开关电源应用中发挥效用。
宽工作温度范围：该器件的工作温度范围涵盖-55°C至150°C，保证其在严苛环境中的可靠性和耐用性，适用于汽车、工业和消费电子产品等多个领域。
紧凑封装：采用U-DFN2020-6封装，DMP6110SFDF-7 提供了优良的散热性及更小的布局空间，适合现代电子设计对尺寸和性能的高要求。
优良的动态特性：器件的输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg）参数优化，在高开关频率应用中，能够帮助提高整体系统效率和响应速度，减少开关损耗。
四、应用场景
DMP6110SFDF-7 特别适用于以下场景：
- DC/DC 转换器：在电源转换过程中提供高效的开关控制，降低能量损耗，提升转换效率。
- 电池管理系统：对电池充电和放电过程进行精准控制，确保电池安全和延长使用寿命。
- 自动化与工业设备：在电动机驱动、传感器接口和其他控制应用中，提供可靠的开关解决方案。
- 汽车电子：满足包括车载电源转换、LED照明控制等应用的高要求。
五、总结
DMP6110SFDF-7 是一款性能强大的 P 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、宽温度范围和紧凑封装设计，成为各类高效能电源管理解决方案中的理想选择。无论在消费电子、汽车电子，还是工业自动化设备中，都能够提供可靠的性能，帮助设计师实现高效能、高可靠性的电路设计。对于寻求高品质MOSFET的设计工程师来说，DMP6110SFDF-7 无疑是值得信赖的选择。