VSKY05201006-G4-08
VSKY05201006-G4-08参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr、F 时电容 | 150pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 500mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 430mV @ 500mA |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 20V | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 75µA @ 20V | 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |
| 供应商器件封装 | CLP1006-2L |
VSKY05201006-G4-08手册
VSKY05201006-G4-08概述
产品概述：VSKY05201006-G4-08
VSKY05201006-G4-08 是一款由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）提供的高性能肖特基二极管，专为高效能应用而设计。该元器件采用表面贴装型（SMD）封装，便于在现代电子设备中实现高密度的布局。其封装尺寸为0402（1006公制），符合国际标准，具备良好的兼容性。
主要参数
电流与电压特性： VSKY05201006-G4-08 的平均整流电流（Io）可达500mA，允许客户在各种实际应用中实现高效稳定的电流输出。此外，该产品的正向电压（Vf）在500mA的情况下为430mV，这意味着其在通电时的能量损耗较低，能够提高系统的整体效率。而其最大反向电压（Vr）为20V，适合于多种需要高耐压的应用场景。
反向特性： 在反向偏置状态下，该二极管的反向泄漏电流低至75µA @ 20V，确保了在高反向电压下的低能量损耗，适用于对泄漏电流敏感的电路。这种特性使其在电源管理和功率转换等应用中表现出色。
速度与工作温度： VSKY05201006-G4-08 属于快速恢复型二极管，其恢复时间小于或等于500ns，适合于高频开关应用，确保在快速开关条件下能够保持高性能的工作效果。该器件的工作结温最大可达150°C，适用于高温环境下的应用，满足了许多工业和消费类产品的严格要求。
电容特性： 在不同反向电压（Vr）和频率（F）条件下，该二极管的电容值为150pF @ 0V，1MHz，这一特性对于射频（RF）设计以及高频信号处理至关重要，保证了设备在频繁信号交替时的稳定性和可靠性。
应用领域
VSKY05201006-G4-08 可广泛应用于多个领域，特别是在以下场景中表现突出：
- 电源管理：适用于DC-DC转换器和电源供应电路，能够有效减少能量损失，提升电源转换效率。
- 电信设备：在通信设备中，能够提供高效的信号整流功能，降低信号损失。
- 电动汽车：在电动汽车的充电和能量管理系统中，能够有效支持高电流或高频率的应用需求。
- 消费电子：在智能手机、平板电脑等移动设备中，作为整流器和平滑电路的核心元件，有助于延长电池续航时间和提升设备性能。
总结
VSKY05201006-G4-08 是一款高效能的肖特基二极管，具有优良的电气特性和可靠的工作性能。凭借其低正向电压、低反向泄漏电流与快速恢复时间，该器件能够在严苛的工作环境中保持稳定的性能，广泛适用于各类电子产品的设计与开发。其紧凑的0402封装使其在多层电路板上设计更加灵活，满足现代电子设备向小型化与高性能发展的趋势。选择 VSKY05201006-G4-08 能为您的产品带来更好的电源效率与更长的使用寿命。