BUK9Y107-80EX

产品概述：BUK9Y107-80E MOSFET

概览

BUK9Y107-80E 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 通道绝缘栅场效应管（MOSFET），其设计旨在满足高功率和高效能的应用需求。作为 MOSFET 技术的一部分，BUK9Y107-80E 提供了优异的电流处理能力和低导通电阻，使其在现代电子设备和功率管理系统中广泛应用。

主要特点

1. 电气参数：

   • 漏源电压（Vdss）：该器件的漏源电压最大值为 80V，适合用于中至高电压应用。
   • 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的条件下，该 MOSFET 可以承载最大的连续漏极电流为 11.8A，显示出其在高负载条件下的稳定性与可靠性。
   • 导通电阻（Rds(on)）：在 5V 驱动电压下，器件的导通电阻最大为 98 毫欧（@ 5A，10V），确保了在开关状态下的低功耗表现，适用于要求严格的能效标准的电路。

2. 输入特性：

   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）：器件的最大阈值电压为 2.1V（@ 1mA），表明在相对较低的栅极驱动电压下，器件即可有效导通。
   • 栅极电荷（Qg）：在 5V 下，栅极电荷最大为 6.2nC，这为栅极驱动电路的设计提供了便利，并有助于提高开关速度。

3. 电容特性：

   • 输入电容（Ciss）：以 25V 的正常工作电压条件下，输入电容的最大值为 706pF，这有利于提高开关频率，降低干扰。

4. 功率与热管理：

   • 功率耗散：可支持的最大功率耗散为 37W（在 Tc 环境下），确保在长时间工作条件下器件的热稳定性和安全性。
   • 工作温度范围：该产品具有极广的工作温度范围，从 -55°C 到 175°C，使其能够应对苛刻的工作环境，适合于军事与工业等要求严格的应用。

封装与安装

BUK9Y107-80E 采用 LFPAK56-5 表面贴装封装，兼顾了小体积与高性能特点。该封装的设计有助于优化散热性能，同时简化自动化生产和组装过程。此外，SOT-669 封装也提供了更小的空间足迹，适合于紧凑型电路设计。

应用场景

BUK9Y107-80E MOSFET 可广泛应用于各种领域，包括但不限于：

• 开关电源：在电源管理和转换应用中，提供有效的电力开关解决方案。
• 电机驱动：适用于电动机控制，尤其是在工业自动化和家电产品中的应用。
• 电池管理系统：在电池组的保护和管理中，用于实现高效的电能转化和管理。
• LED 驱动：在 LED 照明系统中用于调节电流，提高系统的能效。

结论

总体来看，BUK9Y107-80E MOSFET 结合了高电流处理能力、低导通电阻、广泛的工作温度范围和优良的热性能，使其在多个应用中均表现出色。作为 Nexperia 提供的先进产品，该 MOSFET 不仅能满足现代电子设备日益增长的性能要求，还为设计工程师提供了灵活的解决方案，为未来更多创新应用铺平了道路。