BUK7K45-100EX
BUK7K45-100EX参数
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21.4A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 37.6mOhm @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25.9nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1533pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 53W | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-1205，8-LFPAK56 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
BUK7K45-100EX手册
BUK7K45-100EX概述
BUK7K45-100EX 产品概述
BUK7K45-100EX 是一种高性能的 N-沟道 MOSFET，专为要求严格的电源管理和开关应用而设计。该器件由 Nexperia（安世半导体）制造，具备一系列卓越的电气特性，适合于各种工业和消费电子产品的使用。
主要特征
高漏源电压：BUK7K45-100EX 的漏源电压（Vdss）达到了 100V，使其能够在高电压应用中运行良好，适用于电源转换器和电机驱动器等高电压场合。
强大的电流承载能力：该器件在 25°C 环境温度下的连续漏极电流（Id）最大可达 21.4A，适合高电流应用，如直流电机控制和电池管理系统。
低导通电阻：在 10V 的栅极电压下，当漏极电流为 5A 时，其导通电阻（R_ds(on)）仅为 37.6mΩ。这一特性使得器件在工作过程中的能量损耗极低，从而提高了系统的效率。
适应广泛的工作温度范围：BUK7K45-100EX 可在 -55°C 至 175°C 的宽广温度范围内正常工作。这使其成为高温环境下应用的理想选择，例如在汽车电子、航空航天和工业设备中。
小型封装设计：该 MOSFET 采用 SOT-1205 封装（LFPAK56D），具有紧凑的外形，适合表面贴装应用，便于在现代小型化设备中使用。此外，LFPAK56D 封装设计改善了散热性能，使其在高负载条件下也能稳定运行。
优异的电气特性：在 10V 的栅极电压下，BUK7K45-100EX 的栅极电荷（Qg）最大为 25.9nC，这一特性使得驱动器的设计更加灵活，高速开关转换时可减少重载引起的电能损耗。此外，在 25V 驱动下，其输入电容（Ciss）最大为 1533pF，有助于提高开关速度和系统性能。
应用场景
由于其高电压、高电流承载能力和低导通电阻，BUK7K45-100EX 可以广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理：可用于开关电源、直流-直流转换器、交流-直流转换器等，帮助实现高效电力传输。
电机控制：在电动车、工业电机驱动及智能家居设备中，BUK7K45-100EX 可用于高效控制直流电机和步进电机。
汽车电子：适用于汽车电源管理、电池管理系统及高压应用，可确保长时间可靠运行，满足汽车行业的高标准需求。
工业设备：在工业自动化系统中，BUK7K45-100EX 能够有效驱动负载，保障设备的稳定性和可靠性。
总结
BUK7K45-100EX 是一款集高效能和可靠性于一身的 N-沟道 MOSFET，适用于高电压和高电流应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和小型封装设计，使其能够满足现代电子设备对于高效能和紧凑设计的双重需求。在全球范围内，各类应用场景都能找到其身影，充分展现了这一器件在电子行业中的重要地位。无论是在工业、消费电子，还是汽车领域，BUK7K45-100EX 的表现都超出预期，成为工程师和设计师信赖的选择。