晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 4.7 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 15 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 246mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
MMUN2232LT1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的一款 NPN 预偏置数字晶体管,采用 SOT-23-3(TO-236)封装,具备高效能与多功能性,广泛应用于低功耗开关和放大电路。在现代电子产品设计中,MMUN2232LT1G 凭借其理想的电气特性与小巧封装,为电子工程师和设计师提供了可靠的解决方案。
晶体管类型:NPN - 预偏置
集电极电流(Ic)最大值:100mA
集射极击穿电压(Vce(max)):50V
基极电阻(R1):4.7 kΩ
发射极电阻(R2):4.7 kΩ
直流电流增益(hFE):最低15 @ 5mA,10V
饱和压降(Vce(sat))最大值:250mV @ 1mA,10mA
集电极截止电流(Ic(max)):500nA
功率最大值:246mW
安装类型:表面贴装型
MMUN2232LT1G 的设计使其非常适合于以下领域和应用:
小型开关电路:
自动化和逻辑电路:
手机与便携式设备:
家用电器与智能家居:
音频设备:
MMUN2232LT1G 是一款高性能的 NPN 预偏置数字晶体管,其综合特性使其在多种应用中具有广泛的适用性。无论是在开关应用、信号放大还是在小型设备中的低功耗需要,MMUN2232LT1G 都能提供可靠的性能和优越的电气特性。借助其小巧的 SOT-23 封装,工程师能够最大程度地优化电路布局,为开发和设计现代电子设备提供了理想的工具。