BSP135H6327XTSA1
BSP135H6327XTSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 欧姆 @ 120mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 94µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.9nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 146pF @ 25V |
| FET 功能 | 耗尽模式 | 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
BSP135H6327XTSA1手册
BSP135H6327XTSA1概述
BSP135H6327XTSA1 产品概述
一、产品简介
BSP135H6327XTSA1是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。该器件特别设计用于高压、高效能的开关电源和功率管理应用，其关键参数为600V的漏源电压（Vdss）、最高工作电流可达120mA、以及低导通电阻（Rds On）特性。这款MOSFET拥有广泛的应用场景，非常适合用于各类电子设备中的效率提升与能量优化。
二、技术规格
FET类型：
- N通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时连续漏极电流（Id）：120mA（Ta）
- 最大导通电阻（Rds On）：45Ω @ 120mA、10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大1V @ 94µA
- 栅极电荷（Qg）：最大4.9nC @ 5V
最大工作条件：
- Vgs（最大值）：±20V
- 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
封装与安装：
- 安装类型：表面贴装型（SMD）
- 封装：SOT-223-4，兼容TO-261-4和TO-261AA封装
三、应用领域
BSP135H6327XTSA1广泛应用于电源管理、电机控制、LED驱动、以及其它高功率电子设备。其高达600V的耐压性能使其在高压领域表现出色，尤其在开关电源（SMPS）和逆变器等典型场景中，能够有效降低开关损耗，提高系统的整体效率。
此外，这款MOSFET的低导通电阻和适中的电流承载能力，使其在低功率和中功率应用中也能保持良好的性能。例如，家用电器、消费电子、通信设备等产品皆可受益于其超高的可靠性与效率。
四、设计优点
高效能：由于其低Rds On，BSP135H6327XTSA1在导通时消耗的功率很小，因此在长时间运行时能够有效降低热量的生成和发散，提升整体系统的能效。
优越的耐压性：产品设计提供高达600V的耐压能力，使其可以轻松应对各种高压应用的需求，确保在极端工作条件下也能稳定运行。
优秀的温度适应性：工作温度范围从-55°C到150°C，使得该器件在极端的环境下依然能够保持出色的性能，非常适合在恶劣条件下使用。
紧凑的封装: SOT-223-4表面贴装封装不仅有助于节省PCB空间，还能够提升产品的集成度，适合需要高度集成的现代电子产品。
五、结论
总的来说，BSP135H6327XTSA1是一款性能优秀的N通道MOSFET，凭借其600V的耐压和优异的电气特性，无论是在高压电源管理还是高效能转换领域都能够提供可靠的支持。凭借英飞凌在半导体行业的卓越声誉，设计人员可以信心十足地将其应用于各种高性能电路设计中，从而大幅提升系统的效率和稳定性。对于追求高效能、可靠性的电子设计师而言，BSP135H6327XTSA1无疑是一个理想的选择。