BSC054N04NS G 产品实物图片
BSC054N04NS G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC054N04NS G

商品编码: BM0058432616
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
5000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
3.28
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.28
--
100+
¥2.62
--
1250+
¥2.34
--
2500+
¥2.2
--
5000+
¥2.1
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC054N04NS G参数

empty-page
无数据

BSC054N04NS G手册

empty-page
无数据

BSC054N04NS G概述

产品概述:BSC054N04NS G MOSFET

一、基本信息

BSC054N04NS G 是由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产的一款绝缘栅场效应管(MOSFET),其封装为PG-TDSON-8。这款 MOSFET 主要用于高效能功率管理、驱动电路、变换器以及各种电子设备中,以实现高效能的电力转换和控制。

二、产品特点

  1. 高导通能力: BSC054N04NS G MOSFET 具有低的导通电阻(Rds(on)),这使得其在开关状态下能够有效降低功率损耗,提高能源效率,尤其适合高电流和高频应用的场合。

  2. 快速开关特性: 该型号 MOSFET 具有优秀的开关特性,能够快速切换,降低开关损耗,从而提高整体电路的效率。其开关速度使其在脉宽调制(PWM)控制和直流-直流转换器(DC-DC)的应用中表现出色。

  3. 高耐压特性: BSC054N04NS G 的耐压水平可以支持多种应用环境,具备高达 40V 的额定耐压能力,可满足大多数电源管理应用的需求。

  4. 低门极驱动电压: 该 MOSFET 允许更低的门极电压操作,这样不仅可以减少驱动电路的功耗,同时有助于提高电路的整体性能。其可以在 10V 的门极电压下高效运行。

  5. 优越的热管理性: 封装设计(PG-TDSON-8)采用了高效的散热结构,这使得该 MOSFET 在高负载下能够有效散热,从而延长器件的使用寿命,保证其在苛刻环境中的稳定性。

三、应用领域

BSC054N04NS G MOSFET 广泛应用于多种领域,特别是在以下几个方面表现突出:

  1. 电源转换器:在 DC-DC 转换器中,利用其低导通电阻及快速开关特性,可以显著提高转换效率,适用于计算机电源、充电器及电池管理系统。

  2. 电机驱动:在电动机驱动电路中,其高电流处理能力可以驱动各种电机应用,包括无刷直流电动机和步进电机等,适合用于家电、工业设备等领域。

  3. LED 驱动:在 LED 照明系统中,通过控制LED 的通断,能够实现调光功能,并有效提高LED 的能效和使用寿命。

  4. 车载电子:该 MOSFET 同样适用于汽车电子系统,如电源分配、传感器控制等,能够在汽车复杂的电气环境中确保高效、稳定的工作。

  5. 电池管理系统:在新能源自动驾驶和电池管理中,BSC054N04NS G 通过其高效能的性能能够合理管理电池的充放电过程,延长电池寿命,提高安全性。

四、总结

BSC054N04NS G MOSFET 作为英飞凌的高性能产品,以其卓越的导通能力、快速的开关速度和优越的耐压特性,在多种严苛的工作环境和应用中展现出可靠性与高效性。无论是在电源管理、电机控制还是其他高功率电子设备中,这款 MOSFET 都展现了不可或缺的价值,是现代电子工程师发掘高性能电路设计的理想选择。

通过合理运用 BSC054N04NS G,设计师可以实现更高的系统效率、更少的发热和更持续的设备性能,这对于追求高效能和长寿命的电子应用来说,无疑是一个极具吸引力的解决方案。