FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14.5A(Ta),60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7.5 毫欧 @ 14.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 44nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3135pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 3.2W(Ta),125W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Dual Cool™56 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
FDMS86101DC是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能N通道MOSFET,专为需要高效能、高可靠性和广泛应用的电子设备设计。其具备优异的电气特性和热管理能力,适用于多种工业和消费类应用。
电压与电流参数:
导通电阻与门极特性:
输入特性:
热管理能力:
工作环境:
封装规格:
FDMS86101DC广泛应用于多个领域,包括但不限于:
FDMS86101DC是安森美的一款高效能N通道MOSFET,它的出色性能参数、宽广的操作温度以及合理的封装设计,使其在现代电子电气应用中占据了重要地位。凭借其强大的电流承载能力和低功耗特性,该器件能够满足从消费电子到工业自动化各种 demanda,对提升系统性能、降低功耗发挥着关键作用。