FDMS86101DC 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FDMS86101DC

商品编码: BM0058432425
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
Dual Cool™56
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.2W;125W 100V 14.5A;60A 1个N沟道 PQFN-8(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
27.57
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥27.57
--
100+
¥25.06
--
750+
¥24.34
--
1500+
¥23.85
--
3000+
¥23.39
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

FDMS86101DC参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14.5A(Ta),60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.5 毫欧 @ 14.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)44nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3135pF @ 50V
功率耗散(最大值)3.2W(Ta),125W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装Dual Cool™56
封装/外壳8-PowerTDFN

FDMS86101DC手册

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FDMS86101DC概述

产品概述:FDMS86101DC - N通道MOSFET

引言

FDMS86101DC是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能N通道MOSFET,专为需要高效能、高可靠性和广泛应用的电子设备设计。其具备优异的电气特性和热管理能力,适用于多种工业和消费类应用。

关键特性

  1. 电压与电流参数

    • 漏源电压(Vdss)高达100V,支持在高电压环境下安全工作。
    • 连续漏极电流(Id)为14.5A(在25°C环境下),相应地,在适当冷却条件下(Tc),可达到高达60A的工作能力。这使其非常适合需要大电流的应用。
  2. 导通电阻与门极特性

    • 在10V的栅极驱动电压下,最大导通电阻(Rds On)仅为7.5毫欧(在14.5A电流下),实现极低的功耗和发热。
    • 正常工作条件下,门阈电压(Vgs(th))的最大值为4V(在250µA漏电流时),确保在较低的驱动电压下达到可靠的导通控制。
  3. 输入特性

    • 输入电容(Ciss)在50V时的最大值为3135pF,提供良好的输入特性,降低开关损耗,提高系统运行效率。
    • 门极电荷(Qg)最大值为44nC(在10V下),确保驱动电路能以较低的功耗迅速开关。
  4. 热管理能力

    • 功率耗散能力方面,FDMS86101DC能够在环境温度下(Ta)支持最大3.2W的功率,且在适当冷却下(Tc)可承受高达125W的功率消耗。这使其在高功率应用中表现优异,并延长了器件的使用寿命。
  5. 工作环境

    • 该产品的工作温度范围非常宽广,从-55°C到150°C,适用于严酷的环境条件,同时保证器件的稳定运行。
  6. 封装规格

    • FDMS86101DC采用Dual Cool™56封装,采用8-PowerTDFN(5x6 mm)设计,适合表面贴装,充分满足对空间和热量的严格要求。

应用领域

FDMS86101DC广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理系统:用于DC-DC转换器、高效率的电源适配器及充电器。
  • 电动工具:高效且耐用的驱动解决方案。
  • 自动化与机器人:在电机驱动和控制系统中,发挥出其卓越的性能。
  • 消费电子产品:例如电脑、手机及其它便携设备中,实现高效供电和热管理。

结语

FDMS86101DC是安森美的一款高效能N通道MOSFET,它的出色性能参数、宽广的操作温度以及合理的封装设计,使其在现代电子电气应用中占据了重要地位。凭借其强大的电流承载能力和低功耗特性,该器件能够满足从消费电子到工业自动化各种 demanda,对提升系统性能、降低功耗发挥着关键作用。