MMSZ5239BT1G
MMSZ5239BT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 Ohms | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 功率 - 最大值 | 500mW |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3µA @ 7V | 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 | 供应商器件封装 | SOD-123 |
MMSZ5239BT1G手册
MMSZ5239BT1G概述
MMSZ5239BT1G 产品概述
一、产品简介
MMSZ5239BT1G 是一款高性能的稳压二极管，由安森美半导体(ON Semiconductor)生产，采用 SOD-123 表面贴装型封装。这款稳压二极管的设计宗旨是提供可靠的电压稳压解决方案，适用于各类电子设备和电路中需要稳定电压的应用场景。其标称齐纳电压为 9.1V，适合于过压保护、参考电压以及电源管理等多种用途。
二、技术参数
工作温度范围：MMSZ5239BT1G 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C。这使得它适用于极端环境条件下的应用，确保在高温或低温情况下仍然能够稳定工作。
齐纳电压(Vz)：该稳压二极管的标称齐纳电压为 9.1V，具备良好的电气性能，能够提供稳定的电压输出，适应需求变化。
输出电压容差：该产品的输出电压容差为 ±5%，意味着其输出电压在给定条件下可以在 8.65V 到 9.56V 之间波动，充分满足大多数电源管理需求。
正向电压 (Vf)：在 10mA 的正向电流条件下，正向电压为 900mV，这样的低电压特性有助于提高电源效率，减小功耗。
反向泄漏电流：在 7V 的反向电压下，反向泄漏电流为 3µA，显示出其优异的电流控制能力，符合现代电子设备对低泄漏电流的要求。
热阻 (Zzt)：最大的阻抗为 10 Ohms，这使得其能够在瞬态条件下迅速响应，保持电压的稳定性，对防止电压波动造成的设备损伤至关重要。
最大功率：MMSZ5239BT1G 的最大功率为 500mW，能够处理相对较大的功率负载，适合于对功率要求较高的电路。
三、应用场景
MMSZ5239BT1G 稳压二极管广泛应用于多种电子电路，包括但不限于：
电源管理：在电源供应中提供稳定的输出电压，确保下游电路可以继续正常工作，避免电压尖峰对设备造成损坏。
过压保护：当电压超过设定值时，齐纳二极管能够导通，从而保护敏感器件不受过压影响，延长设备寿命。
参考电压源：可作为电路中参考电压源，提供精确且稳定的电压基准，适用于各类模拟电路设计。
信号整形和解调：在信号处理电路中，此二极管能有效整形和调制输入信号，同时保持信号完整性。
四、封装与布局
MMSZ5239BT1G 采用 SOD-123 封装，这是目前市场上广泛使用的表面贴装封装类型之一，具有体积小、放置方便的优点。在PCB布局设计中，SOD-123 封装的二极管能够有效节省空间，并适合于自动化贴片组装。
五、总结
综上所述，MMSZ5239BT1G 稳压二极管结合高温稳定性、优秀的电气性能以及小巧的 SOD-123 封装，成为了各类电源管理、过压保护和信号整形电路不可或缺的组成部分。其可靠性和多样性使其非常适合于需要高性能和高稳定性的电子产品设计中。对于设计工程师而言，选择 MMSZ5239BT1G 意味着选择了一款技术成熟、性能卓越的可靠元器件。