MMBZ12VALT1G

MMBZ12VALT1G 产品概述

概要

MMBZ12VALT1G 是由安森美（ON Semiconductor）生产的一款齐纳二极管，属于电子静电放电（ESD）抑制器系列。该器件设计用于提供高效的电压调节和过压保护，广泛应用于各种电子设备中。

基础参数

• 类型: 齐纳二极管
• 单向通道: 2
• 电压 - 反向断态（典型值）: 8.5V
• 电压 - 击穿（最小值）: 11.4V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 17V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 2.35A
• 功率 - 峰值脉冲: 40W
• 电源线路保护: 无
• 应用: 通用
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

功能特点

电压调节

MMBZ12VALT1G 具有稳定的电压调节功能，能够在8.5V的典型反向断态下工作。这种特性使其适用于需要精确电压参考的应用场景，如稳压电路、信号处理和测量设备。

过压保护

该器件具有11.4V的最小击穿电压和17V的最大箝位电压，这意味着它可以有效地保护电子设备免受过压的影响。这种过压保护能力对于防止设备因电压波动或瞬间高压而受到损害至关重要。

高峰值脉冲能力

MMBZ12VALT1G 可以承受高达2.35A的峰值脉冲电流和40W的峰值脉冲功率，这使得它在处理高能量瞬间冲击时具有出色的性能。这种能力特别适用于需要处理高能量信号或保护敏感电子组件的应用。

宽工作温度范围

该器件的工作温度范围从-55°C到150°C，这使得它可以在各种极端环境下可靠运行。这种宽工作温度范围使其成为工业、汽车和航空等领域的理想选择。

小型化封装

MMBZ12VALT1G 采用SOT-23-3（TO-236）封装，这是一种小型化的表面贴装封装。这种封装不仅节省了空间，还提高了生产效率和可靠性，非常适合现代电子设备的紧凑设计要求。

应用场景

通用电压调节

MMBZ12VALT1G 可用于各种需要稳定电压参考的应用，例如稳压电源、信号处理电路和测量设备。

过压保护

在需要保护电子设备免受过压影响的场景中，MMBZ12VALT1G 是一个理想的选择。例如，在电源输入端、信号线路和敏感电子组件前，可以使用该器件来吸收和分散过压能量。

高能量信号处理

对于处理高能量信号或保护设备免受高能量瞬间冲击的应用，MMBZ12VALT1G 的高峰值脉冲能力使其成为最佳选择。这种应用包括但不限于雷击保护、电磁兼容（EMC）解决方案等。

极端环境应用

由于其宽工作温度范围，MMBZ12VALT1G 特别适用于工业、汽车和航空等领域的电子设备。这些领域常常涉及极端温度条件，需要高可靠性的电子组件。

总结

MMBZ12VALT1G 是一款功能强大、性能可靠的齐纳二极管，通过其稳定的电压调节、过压保护和高峰值脉冲能力，广泛应用于各种电子设备中。其小型化封装和宽工作温度范围进一步扩展了其在不同行业中的应用潜力。对于需要高性能和高可靠性的电压调节和过压保护解决方案，MMBZ12VALT1G 是一个值得考虑的选择。