MMBTA06LT3G
MMBTA06LT3G参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 225mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
MMBTA06LT3G手册
MMBTA06LT3G概述
MMBTA06LT3G 产品概述
产品概述
MMBTA06LT3G 是一款高性能 NPN 杂散型晶体管，专为对中等功率和高频应用而设计。其封装为 SOT-23-3（TO-236），具有紧凑的尺寸，适用于表面贴装型电路，适合现代无线通信、消费类电子产品和工业控制等多个领域。
基础参数分析
晶体管类型与结构： MMBTA06LT3G 是一款 NPN 型三极管，其采用基本的双极性结构。NPN 架构使其具有较高的开关速度和优越的电流放大特性，非常适合用作开关和信号放大器。
电流与电压特性：
- 集电极电流 (Ic)：该晶体管的最大集电极电流为 500mA，适合于中等负载的控制需求。
- 集射极击穿电压 (Vceo)：最高可达 80V 的击穿电压使其能够承受较高的信号电压，对于电源和信号处理电路均有很好的适应性。这一特性也使得它在高压环境下应用更加广泛。
饱和压降与增益： 在 10mA 和 100mA 的情况下，Vce 饱和压降最大值为 250mV，表明该器件在工作时能保持较低的功耗。这对于设计低功耗电子设备十分关键。此外，其至少拥有 100 的直流电流增益 (hFE) 与 100mA、1V 的条件下工作，这显示了它在信号放大应用中的优势。
功耗与工作温度： MMBTA06LT3G 的最大功率为 225mW，这使其能够在较高频率下有效工作。更重要的是，其额定的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，体现了其在各种严酷环境下的可靠性和稳定性，在军事、航空航天和工业应用中尤为重要。
频率特性： 具备 100MHz 的跃迁频率，MMBTA06LT3G 能够高效支持高频信号传输，符合现代无线通讯与信号处理的需求。
应用场景
MMBTA06LT3G 的多种特性使其适合于多种应用场景，例如：
- 消费类电子产品：可用于手机、平板和其他便携设备中的开关电路和放大器设计。
- 无线通信：由于其高频特性，它可以在基站和无线发射接收设备中用作信号放大器。
- 工业控制系：在各类传感器和执行器控制中，MMBTA06LT3G 能够用来实现可靠的开关控制。
- LED 驱动：作为 LED 灯的驱动电路中的开关元件，可以通过控制电流来实现亮度调节。
总结
MMBTA06LT3G 是一款性能优异的 NPN 晶体管，其丰富的工作特性和良好的适应性使其非常适合现代电子产品的设计需求。无论是在高频信号应用还是在高压电路中，该三极管的使用都能显著提升电路的可靠性和性能。同时，随着电子技术的不断发展，MMBTA06LT3G 也将持续成为众多工程师设计时的首选器件之一。有意于样品采购和应用的工程师可以通过安森美的官方渠道进行进一步技术咨询和获取产品信息。