MMBT6428LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBT6428LT1G

商品编码: BM0058432228
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 225mW 50V 200mA NPN SOT-23
库存 :
2717(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.363
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.363
--
200+
¥0.234
--
1500+
¥0.203
--
3000+
¥0.18
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT6428LT1G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)250 @ 100µA,5V
功率 - 最大值225mW频率 - 跃迁700MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

MMBT6428LT1G手册

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MMBT6428LT1G概述

产品概述:MMBT6428LT1G NPN晶体管

一、基本信息

MMBT6428LT1G是一款高性能NPN型的双极性晶体管,专为多种电子应用设计,具有出色的电流增益和工作效率。其主要性能参数包括:集电极最大电流为200mA,集射极最大击穿电压为50V,以及频率跃迁可达700MHz,展现了在高频应用中的优异表现。这种晶体管的工作温度范围广泛,包括-55°C至150°C,适用于恶劣环境的电子产品。

二、关键特性

  1. 晶体管类型:NPN
  2. 最大集电极电流 (Ic):200mA
  3. 最大集射极击穿电压 (Vce):50V
  4. 饱和压降 (Vce(sat)):在Ic为5mA及100mA时,Vce饱和压降的最大值为600mV,确保能在较低功率损耗下正常工作
  5. 集电极截止电流 (Ic(OFF)):最大值为100nA,充分保证了在关闭状态下的低漏电流
  6. 直流电流增益 (hFE):在特定工作条件下,最小值为250,尤其在Ic为100µA及5V时,显示出较强的放大能力
  7. 最大功率:225mW
  8. 频率响应:跃迁频率可达700MHz,适合高速信号处理需求
  9. 工作温度范围:-55°C至150°C,满足高温以及低温环境下的应用需求
  10. 封装类型:采用SOT-23-3(TO-236)表面贴装型封装,便于 PCB 小型化设计。

三、应用场景

MMBT6428LT1G广泛应用于多种领域,包括:

  • 音频放大器:由于其良好的电流增益特性,MMBT6428LT1G可作为音频信号的放大器,在家用音响、车载音响等设备中发挥作用。
  • 开关电路:其具备较高的开关速度,适合用作电子开关,尤其是在需要快速响应的场合,如继电器驱动和与微控制器结合的功率控制。
  • 信号处理:在无线通信和数据传输系统中,MMBT6428LT1G可以用于处理高频信号,支持700MHz的跃迁频率,使其成为射频放大器的理想选择。
  • LED驱动:在LED照明及指示灯中,该晶体管能够提供必要的电流支持,使LED在高性能下稳定工作。

四、优势

  • 高可靠性:MMBT6428LT1G的宽工作温度范围使其适用于多种环境条件,大幅提升了产品的可靠性。
  • 效率高:在较低的功耗下依然能提供稳定的性能,进一步增强整体系统的能效。
  • 紧凑型设计:SOT-23-3封装不仅节省空间,还便于自动化贴装,适合现代电子产品对小型化和轻量化的要求。

结论

总体而言,MMBT6428LT1G是一款卓越的NPN晶体管,适合多种应用场景,凭借其灵活的性能与可靠的工作特性,为电子设计师提供了广泛的应用可能性。无论是用于音频放大、信号处理,还是在复杂的开关电路中,该元件皆可生成稳定输出并满足现代电路设计的需求。随着对电子产品性能提高的追求,MMBT6428LT1G无疑是一个值得推荐的选择。