晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 250 @ 100µA,5V |
功率 - 最大值 | 225mW | 频率 - 跃迁 | 700MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
MMBT6428LT1G是一款高性能NPN型的双极性晶体管,专为多种电子应用设计,具有出色的电流增益和工作效率。其主要性能参数包括:集电极最大电流为200mA,集射极最大击穿电压为50V,以及频率跃迁可达700MHz,展现了在高频应用中的优异表现。这种晶体管的工作温度范围广泛,包括-55°C至150°C,适用于恶劣环境的电子产品。
MMBT6428LT1G广泛应用于多种领域,包括:
总体而言,MMBT6428LT1G是一款卓越的NPN晶体管,适合多种应用场景,凭借其灵活的性能与可靠的工作特性,为电子设计师提供了广泛的应用可能性。无论是用于音频放大、信号处理,还是在复杂的开关电路中,该元件皆可生成稳定输出并满足现代电路设计的需求。随着对电子产品性能提高的追求,MMBT6428LT1G无疑是一个值得推荐的选择。