MMBFJ309LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBFJ309LT1G

商品编码: BM0058432219
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
结型场效应管(JFET) N沟道 SOT-23
库存 :
1704(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.997
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.997
--
200+
¥0.767
--
1500+
¥0.667
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBFJ309LT1G参数

电压 - 额定25V晶体管类型N 通道 JFET
额定电流(安培)30mA封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

MMBFJ309LT1G手册

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MMBFJ309LT1G概述

MMBFJ309LT1G 产品概述

概述与背景

MMBFJ309LT1G 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款 N 通道结型场效应管(JFET),它广泛应用于模拟信号处理、开关电路以及高频信号放大等领域。JFET 是一种电压控制型器件,由于其高输入阻抗和低噪声特性,成为了音频处理、电信和仪器设备中的重要元件。MMBFJ309LT1G 在电源管理、信号放大以及其他类似应用中表现出色。

电气规格

  1. 电压额定值:该器件的额定电压为25V,这使得其能够在多种电源条件下稳定工作。对于许多常见应用,如音频设备和低功耗数字电路,25V 的额定电压能够提供足够的裕度,保证了系统的稳定性和安全性。

  2. 额定电流:MMBFJ309LT1G 的额定电流为30mA,适合大部分中低功率应用。例如,在信号开关和放大电路中,该器件能够处理较为典型的信号电流,从而满足设计需求。

  3. 晶体管类型:它是一款 N 通道 JFET,N 通道结构具有较低的驱动电压和较高的电子迁移率,因而在开关速度和增益方面通常优于 P 通道器件。N 通道 JFET 在高频应用中的特性使其成为许多高性能电路的优选选择。

封装与应用

MMBFJ309LT1G 的封装形式为 SOT-23-3(TO-236),一种小型表面贴装封装,适合各种紧凑型电路设计。SOT-23 封装的特点是体积小、引脚布置合理,便于进行自动化贴装,同时能够有效节省PCB版面的空间,使得其在现代电子设备中得到广泛应用。

应用场景

  1. 模拟信号处理:由于其高输入阻抗和低输出噪声,MMBFJ309LT1G 非常适合于模拟信号放大器和信号调理电路。其特性使得其能够在非常微弱的信号条件下工作,确保信号的准确性和清晰度。

  2. 开关电路:在数字电路和开关电源中,JFET 的迅速开关能力使其成为优质的开关元件。可以在电源管理和控制电路中使用,以实现高效的功率切换,帮助降低功耗。

  3. RF 应用:MMBFJ309LT1G 在高频应用中表现优秀,适用于 RF 放大器和混频器等电路,有助于制作出高性能的接收和传输系统。

  4. 传感器接口:在需要将高阻抗传感器信号传递至后续信号处理电路的场景中,MMBFJ309LT1G 能够确保信号的完整性,避免信号衰减对系统性能的影响。

总结

总的来说,MMBFJ309LT1G 是一款功能丰富、性能卓越的 N 通道 JFET,具有很高的市场适应性。其电气性能、封装形式及应用范围使得该器件能够适应众多现代电子产品的需求,是设计师在选择电子元件时值得考虑的优秀选项。无论是在音频设备、网络通信、家用电器还是工业争夺应用中,MMBFJ309LT1G 皆能提供理想的解决方案。