MMSZ4704T1G

MMSZ4704T1G 产品概述

一、基本介绍

MMSZ4704T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的稳压二极管，其标称的齐纳电压为 17V。该元件以其稳定的性能和广泛的应用场景而受到业界的青睐，特别是在电源管理、过压保护和电压稳压电路中。

二、关键参数

1. 电压特性：

   • 齐纳电压 (V_z)：17V
   • 容差：±5%，这意味着实际的齐纳电压范围为 16.15V 至 17.85V，适应性强，能够满足不同设计需求。

2. 功率：

   • 最大功率：500mW。在设计过程中需确保二极管不超过此功率限制，以避免过热损坏。

3. 反向泄漏电流：

   • 50nA @ 12.9V：这一较低的反向泄漏电流特性使得 MMSZ4704T1G 在低功耗应用中表现出色，有效减少了不必要的电能损耗。

4. 正向特性：

   • 正向电压 (V_f)：在 10mA 的正向电流下，仅为 900mV，表明该二极管在工作时产生的功耗较小，提高了整体电路效率。

5. 工作温度范围：

   • 工作温度可以在极端条件下达到 -55°C 至 150°C，确保其在各种环境下的可靠性和稳定性。

6. 封装及安装方式：

   • 封装类型：SOD-123，表面贴装型设计（SMD），使其能够在现代集成电路设计中占用更少的空间，并提高组装效率。

三、应用场景

MMSZ4704T1G 稳压二极管凭借其优异的电气特性，适用于以下几个主要应用场景：

1. 电源管理系统：通过提供稳定的参考电压，MMSZ4704T1G 可以用于高效的电源调节，确保其他电子元件在安全电压下工作。

2. 过压保护：在电路中，稳压二极管可以用作过压保护元件。当输入电压超过齐纳电压时，二极管导通并将多余的电压泄放，从而保护后续电路免受损坏。

3. 信号整形：在一些模拟和数字信号处理中，稳压二极管可以用于信号的整形，帮助抑制突波和噪声，提高信号质量。

4. 低功耗设备：由于其极低的反向泄漏电流特性，MMSZ4704T1G 非常适用于移动设备和低功耗应用，这些应用对能效要求较高，以延长电池使用寿命。

四、总结

MMSZ4704T1G 稳压二极管是一个性能稳定、使用广泛且功能多样的电子元器件。其优越的电气特性和可靠的工作条件，使其成为电源管理、过压保护及信号整形等多种应用的理想选择。安森美半导体凭借其强大的技术实力和丰富的产品线，提供了这一高性能元件，助力工程师在复杂的设计中实现更加高效、可靠的电路解决方案。无论是在商业产品开发还是科研项目中，MMSZ4704T1G 都能因其满足多样化需求而脱颖而出。