MMBZ5244BLT1G
MMBZ5244BLT1G参数
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 14V | 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大值 | 225mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 15 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 10V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
MMBZ5244BLT1G手册
MMBZ5244BLT1G概述
产品概述：MMBZ5244BLT1G 稳压二极管
一、基本信息
MMBZ5244BLT1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的稳压二极管，具有优良的电气性能和稳定的工作参数。这款二极管可用于各种电子设备中，为电路提供稳定的电压参考和过压保护。它的标称齐纳电压为14V，适合用于低功耗稳压电源、信号调节和电压保护等应用场景。
二、主要特性
齐纳电压 (Vz)：MMBZ5244BLT1G 的标称齐纳电压为14V，具有较高的稳定性，适合用于电源电压调节。
容差：该器件具有±5%的电压容差，确保电路设计具有适当的安全余量。
功率最大值：其最大功率为225mW，适合在低功耗、电压较为稳定的应用场合使用。
阻抗 (Zzt)：在稳压状态下，最大阻抗为15Ω。这一特性使得它在负载变化时能迅速响应，保持电压稳定。
反向泄漏电流：在10V的反向偏置下，反向泄漏电流为100nA，表明该二极管在静态状态下功耗较低，适合于长时间工作的应用。
正向电压 (Vf)：在10mA的正向电流下，正向电压为900mV，符合二极管的典型性能需求。
三、工作环境
MMBZ5244BLT1G 的工作温度范围广泛，从-65°C 到 150°C，确保在极端环境下仍然能正常工作。这使得它适用于航空航天、汽车电子和工业控制等领域的高可靠性应用。
四、安装与封装
- 安装类型：MMBZ5244BLT1G 采用表面贴装技术（SMD），可以减小 PCB 尺寸，方便自动化生产。
- 封装类型：此器件的封装为 SOT-23-3（TO-236），体积小，便于设计紧凑型电路，有效提高整体设备性能。
五、应用场景
低功耗稳压电源：该稳压二极管适合用于各类低功耗电路，例如移动设备、便携式电子产品及电池供电的设备。
信号调节：在信号处理类电路中，MMBZ5244BLT1G 可作为参考电压源使用，确保信号的稳定性。
过压保护：能够有效限制电路中的过电压情况，保护后端的敏感元件不受损害。
汽车电子：该稳压二极管具有较高的工作温度范围，可以应用于汽车电子设备中，确保设备在恶劣环境下的可靠工作。
工业自动化：在工业控制和设备监测系统中，MMBZ5244BLT1G 能提供稳定的基准电压，满足精密控制的需求。
六、总结
总体来看，MMBZ5244BLT1G 是一款性能稳定、功耗低、适用范围广泛的稳压二极管，具有极佳的电气特性和工作环境适应能力。它的设计和制造满足现代电子设备对高性能和小型化的需求，广泛应用于各种行业中。对于需要稳定电压供应和过压保护的电子设计，MMBZ5244BLT1G 是一个理想的选择。