MMBZ15VDL,215
MMBZ15VDL,215参数
| 类型 | 齐纳 | 单向通道 | 2 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 12.8V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 14.3V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 21.2V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 1.9A |
| 功率 - 峰值脉冲 | 40W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 汽车级 | 不同频率时电容 | 85pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
MMBZ15VDL,215手册
MMBZ15VDL,215概述
产品概述：MMBZ15VDL,215
MMBZ15VDL,215是安世(Nexperia)推出的一款高性能ESD抑制器，采用表面贴装型封装（TO-236AB），专为汽车级应用设计。该器件具有优良的电气规格以及可靠的工作性能，为电子设备的保护提供了有效的解决方案。
主要特性
类型与结构：MMBZ15VDL,215是一款齐纳二极管（Zener Diode），能够有效地在高压情况下保护其他敏感元器件。其单向通道设计确保了在反向电压发生时的电流导通和极限保护。
电压规格：
- 反向断态电压：该器件的典型反向断态电压为12.8V，最大值为12.8V，确保了在正常工作及异常情况下的优越性能。
- 击穿电压：其最小击穿电压为14.3V，能够在一定的反向电压条件下迅速响应，实现电路保护。
- 电压箝位：在电流冲击（不同Ipp条件下），其最大箝位电压可达到21.2V，有效限制了电路中瞬态电压的峰值。
电流处理能力：该器件能够处理高达1.9A的峰值脉冲电流（10/1000µs），同时提供40W的峰值脉冲功率。此特性使其在遭遇短暂电流激增的情况下仍能保持稳定，保护敏感的电子模块不受损坏。
高频特性：在1MHz的频率下，该器件的电容值为85pF，表明其在高频应用中的有效性。低电容特性可降低信号损失及波形畸变，适合在高速信号环境中使用。
宽广的工作温度范围：MMBZ15VDL,215具有-55°C至150°C的宽广工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性，适合各种严苛条件下的汽车电子应用。
应用领域
由于其优异的电气特性，MMBZ15VDL,215广泛应用于汽车电子设备、电机控制器、传感器保护、数据通信及其他对ESD保护有高要求的电子系统中。在汽车电子领域，随着智能化程度的提升，对电流瞬变的免疫能力愈发重要，而此款器件能够有效隔离瞬态电压对系统的影响，确保其稳定运行。
安装与封装
MMBZ15VDL,215采用TO-236AB封装，适合于表面贴装技术。此种封装结构不仅能够减少PCB空间的占用，提高元件的集成度，同时简化了射频和高速数字电路的布局设计，适合现代电子产品的轻量化与小型化趋势。
总结
总的来说，MMBZ15VDL,215是一款优秀的ESD保护器件，具备性能稳定、响应迅速、耐高温等特色，适合在多种电气和电子设备中使用，尤其在汽车及工业自动化场合展示了其独特的价值。凭借Nexperia作为全球知名的半导体品牌，用户可以放心选择此款器件来提升其产品的可靠性与耐用性。