MMBTA28
MMBTA28参数
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 800mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.5V @ 100µA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 10000 @ 100mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 350mW | 频率 - 跃迁 | 125MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | 3-SSOT |
MMBTA28手册
MMBTA28概述
MMBTA28 产品概述
MMBTA28 是一款高性能的 NPN 达林顿晶体管，专为各种电子电路设计而研发。该元器件由安森美（ON Semiconductor）制造，采用了高度集成的表面贴装封装（SOT-23-3 或 3-SSOT），使其适合在空间受限的应用中使用。该器件的关键特性与应用领域如下所述。
主要规格参数
晶体管类型: MMBTA28 是一种 NPN 达林顿结构，其独特的设计能够提供显著的电流增益。这种双极型晶体管（BJT）配置，使得驱动微弱信号或低功率电源成为可能。
集电极电流（Ic）: MMBTA28 的最大集电极电流为 800mA，能够满足大多数中等功率应用的需求。
电压参数: 该器件具有高达 80V 的集射极击穿电压（Vce），这使其在高压条件下也能稳定工作，而不会发生击穿现象。
饱和压降: 在工作时，Vce 饱和压降最大值为 1.5V，这在 100µA 和 100mA 的电流下表现良好，表明其在开关状态下具有较低的功率损耗。
截止电流: MMBTA28 的集电极截止电流最大为 500nA，意味着在关断状态下，器件几乎没有电流泄漏，有助于提高整体电路的能效。
直流电流增益（hFE）: MMBTA28 提供极高的 DC 电流增益，最低可达 10,000，适用于需要大信号放大的应用场景。该规格在 100mA 和 5V 的工作条件下测试得出，显示了其出色的增益特性。
功率额定: 该器件的功率处理能力达到 350mW，这使得 MMBTA28 适用于各种功率要求较低的数字和模拟电路。
频率响应: MMBTA28 具备高达 125MHz 的跃迁频率，适合高频应用，包括开关电源和射频放大器等场合。
工作温度: MMBTA28 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其在严苛的环境中仍能稳定工作，广泛适用于工业、汽车和消费电子等多个领域。
封装类型: 其小型的 SOT-23-3 封装特点非常适合现代电子产品尤其是便携式设备的设计要求。
应用领域
凭借其优势参数，MMBTA28 可以广泛应用于以下领域：
信号放大: 由于其高增益特性，MMBTA28 适用于微弱信号的放大电路，例如音频设备和传感器信号处理。
开关电路: 其高集电极电流能力及低饱和压降使其非常适合用于驱动继电器、LED 和其他负载的开关应用。
电源管理: MMBTA28 可用于开关电源设计中，利用其高频性能和低功耗特性实现高效能的电源转换。
汽车电子: 适用的广泛工作温度范围使其成为汽车电子应用中可靠的选择，尤其在如发动机控制单元（ECU）和传感器信号放大中。
工业控制: 在需要可靠性和耐用性的工业控制系统中，MMBTA28 是执行器和传感器接口的理想选择。
总结
总的来说，MMBTA28 以其优异的电气特性和广泛的应用领域，在现代电子设计中展示出其不可或缺的重要性。无论是在消费电子、汽车、工业或通信设备中，MMBTA28 都能够为设计者提供强大且高效的解决方案。其紧凑的封装、极高的电流增益及宽广的工作温度范围，进一步增强了其在多个应用场合的适用性。选择 MMBTA28，意味着选择了高效、可靠和耐用的电子元件。