MMBT2907AWT1G
MMBT2907AWT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.6V @ 50mA，500mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 基本产品编号 | MMBT2907 |
MMBT2907AWT1G手册
MMBT2907AWT1G概述
MMBT2907AWT1G 产品概述
引言
MMBT2907AWT1G是一款由ON Semiconductor制造的小型PNP型晶体管。该器件设计用于低功耗的电子应用，尤其适合于开关和放大电路。其小型的SC-70封装（即SOT-323）使得MMBT2907AWT1G非常适合于表面贴装技术（SMT），从而能够帮助节约空间并提高电路板的元件密度。
基本特性
MMBT2907AWT1G的关键参数包括：
- 类型：PNP
- 最大集电极电流（Ic）：600mA
- 最大集射极击穿电压（Vce）：60V
- 功率消耗：150mW
- Vce饱和压降：在不同的Ib和Ic条件下，其最大Vce饱和压降为1.6V（在Ic为50mA和500mA时）
- 电流增益 (hFE)：在150mA及10V的条件下，最小电流增益为100
- 工作频率：跃迁频率高达200MHz，适合高频应用
- 工作温度范围：宽工作温度范围从-55°C至150°C，适应各种环境
封装与安装
MMBT2907AWT1G采用SC-70-3（SOT-323）封装，这是一种极小的表面贴装器件，适合用于空间受限的应用。由于其小型设计，该产品非常适合于便携式设备和紧凑型电子设备中。其卷带包装方式（TR）设计便于自动化生产和快速布线，使得其在现代电子制造中具有极大的便利性。
应用领域
MMBT2907AWT1G广泛应用于如下领域：
开关电路：由于其比较高的集电极电流和电压额定值，MMBT2907AWT1G非常适合用于高效的开关电路。这使得它能够在数字电路和线性电路中执行逻辑开关功能。
放大电路：凭借其高电流增益和良好的频率响应，MMBT2907AWT1G同样适用于各种放大电路，包括音频放大器和信号放大器等。
便携设备：其小巧的封装和低功耗特性使得MMBT2907AWT1G特别适合用于智能手机、平板电脑以及各种消费电子产品中。
汽车电子：该器件的宽工作温度范围和可靠性使其能够适用于汽车电子设备，如车载音响、控制模块和传感器等。
工业应用：在工控系统、自动化设备及电气驱动装置中，MMBT2907AWT1G能够提供稳健的性能。
结论
综合来看，MMBT2907AWT1G是一款高性能的PNP型晶体管，具有出色的电气特性和广泛的应用前景。其小型化设计和可靠性使得其在各种现代电子产品中提供了极大的灵活性和效率，特别是在空间有限的应用场景中，MMBT2907AWT1G无疑是一个极为有效和实用的选择。作为ON Semiconductor的产品，其还具有良好的品质保障，能够满足高标准的工业和消费市场需求。