MMBFJ112
MMBFJ112参数
| FET 类型 | N 通道 | 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 35V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 5mA @ 15V | 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 1V @ 1µA |
| 电阻 - RDS(On) | 50 Ohms | 功率 - 最大值 | 350mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
MMBFJ112手册
MMBFJ112概述
MMBFJ112 产品概述
基本信息
MMBFJ112是一款高性能的N沟道结型场效应管（JFET），由知名品牌安森美（ON Semiconductor）生产。这款器件主要用于对小信号进行放大、开关和调节，适用于各种电子电路应用。其封装形式为SOT-23-3，便于在现代电子设备中实现高密度的布线和紧凑的设计。
主要参数
FET类型: MMBFJ112为N通道JFET，这种类型的场效应管以其低噪声、低功耗以及良好的线性度而受到青睐。
电压特性:
- 击穿电压（V(BR)GSS）: 最大为35V，提供了良好的电压保护能力，适合在需要较高电压操作的电路中使用。
- 截止电压（VGS off）: 该器件在1µA的漏电流下，其截止电压为1V，说明其在关闭状态时表现出色的特性，有助于节能及降低电路噪声。
电流特性: 在Vds为15V时，漏极电流（Idss）为5mA，这一特性使得该器件在低功耗信号处理中具有良好的应用前景。
导通电阻: RDS(On)为50Ω，表明在导通状态下器件的电流通过阻抗较低。低导通电阻有助于提高电路效率，减小热量产生。
功率耗散: 最大功率为350mW，满足一般的小信号处理需求，同时也保证了器件在不同工作条件下的安全性。
工作温度范围: MMBFJ112的工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），这种宽广的温度适应性使其适合在极端环境下使用，如汽车、航空航天及工业控制等领域。
封装与安装
MMBFJ112采用SOT-23-3封装，体积小巧，适合表面贴装（SMT）技术，这种封装不仅有助于节省空间，也提高了电路板的集成度。表面贴装的特性使得该器件在自动化生产线上的安装更加便捷，提高了生产效率。
应用场景
MMBFJ112广泛应用于各种需要高增益的射频（RF）放大器、小信号开关、混频器、信号调制等场合。由于其低功耗、高稳定性特点，该器件非常适合用于便携式电子设备、消费电子、传感器等高功率及高温度敏感的应用。同时，使用该器件可以降低电路的功耗，延长电池寿命，提高信号处理精度。
结论
总之，MMBFJ112是一款功能强大、性能稳定的N沟道结型场效应管。凭借其高击穿电压、低导通电阻和宽温度范围等特点，它在诸多电子应用中展现出卓越的性能表现。无论是在高频信号处理、低功耗电路设计，还是在要求严格的工作环境中，MMBFJ112都能满足设计师对电子元件的严格要求。对于追求性能与效率的工程师而言，选择MMBFJ112将是一个理想的决策。