FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A,2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 95 毫欧 @ 2.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.6nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 282pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 700mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | SuperSOT™-6 |
FDC6333C 是由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的一款高效能场效应晶体管(FET)。采用SuperSOT™-6封装,FDC6333C 设计用于低功耗、高性能的逻辑电平开关应用,广泛应用于消费电子、工业控制和通讯设备中。
FDC6333C 具有 N 和 P 沟道 FET 类型,适合不同应用需求。以下是其主要技术参数:
FDC6333C 使用SuperSOT™-6封装,提供了更小的体积和较低的热阻,使得元件在高密度PCB上也能获得良好的散热效果。这种表面贴装型设计使其适合现代电子设备的自动组装工艺,高效率提高了生产力和降低了成本。
FDC6333C 的设计使其在多种应用场景中都表现出色,主要包括但不限于:
FDC6333C 的性能特点使其在市场上具有显著的竞争优势:
FDC6333C 是一款功能强大、高效能的场效应晶体管,适合用于广泛的应用领域。无论是在消费电子、工业控制还是通讯设备中,FDC6333C 都能提供出色的性能表现。其高效能、小体积以及优良的热稳定性使其成为设计者的理想选择。通过使用FDC6333C,设计工程师能够在提高功能与可靠性的同时,简化电路设计,降低成本。