注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
FDB33N25TM
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
D²PAK
包装 :
编带
重量 :
2.026g
描述 :
场效应管(MOSFET) 235W 250V 33A 1个N沟道 D2PAK(TO-263)
库存 :
351(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
6.47按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.47
--
100+
￥5.19
--
800+
￥4.8
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述
FDB33N25TM参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 94 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 48nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2135pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 235W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D²PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
FDB33N25TM手册
FDB33N25TM概述
FDB33N25TM 产品概述
一、产品简介
FDB33N25TM 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有显著的电气特性和可靠的工作性能，广泛适用于开关电源、高频功率转换电路以及各类电力管理设备。该产品由安森美（ON Semiconductor）制造，为工程师在设计电路时提供了一个高效的选择。
二、基本参数
- 类型：N 通道 MOSFET
- 封装：D²PAK（TO-263-3），便于表面贴装
- 漏源电压 (Vdss)：250V，适合大多数高电压应用
- 连续漏极电流 (Id)：33A（在 Tc = 25°C 时）
- 最低导通电阻 (Rds On)：在 10V 驱动下，最大值为 94 毫欧（当 Id 为 16.5A 时）
- 阈值电压 (Vgs(th))：最大 5V @ 250µA，提供良好的开关特性
- 栅极电荷 (Qg)：最大值为 48nC @ 10V，保证快速开关
- 输入电容 (Ciss)：最大值为 2135pF @ 25V，确保较低的驱动功耗
- 功率耗散：最大 235W（在 Tc 环境下），支持高功率应用
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C，适合于各类极端环境
三、应用场景
由于其卓越的高压、高电流特性，FDB33N25TM 适用的应用场景包括但不限于：
- 开关电源：这款 MOSFET 可用于高效能高频开关电源，有效提高电源的转换率，减少功耗。
- 电动汽车充电器：由于其高功率耗散能力，适合在电动车辆的充电设备中使用。
- 电力管理系统：在电源管理模块内，FDB33N25TM 能够高效地控制电流，并有效降低导通损耗。
- 工业设备：在工厂自动化和工业控制系统中，作为开关元件使用。
四、设计优势与特点
- 高效率：具备较低的导通电阻，使得其工作时的损耗显著降低，提高系统的整体效率。
- 优良的热性能：较大的功率耗散能力允许在高温条件下安全运行，这对于一些高功率密度的应用至关重要。
- 可靠性：工作温度范围广，使其在恶劣环境下依然能够保持稳定工作，是各种严苛应用的理想选择。
- 封装适应性：D²PAK 封装的设计，便于焊接并适合高频操作，能够在现代电子设备中灵活使用。
五、总结
FDB33N25TM 作为一款 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气参数和多样的应用场景，成为电源管理和转换领域中重要的元器件之一。其优秀的导通特性、高功率承受能力和可靠的工作温度范围，使其在多个行业中得到认可与广泛应用。无论是在消费电子、电动汽车，还是在工业自动化方面，这款 MOSFET 都能够帮助设计工程师实现高效能及高度可靠的电源解决方案。选择 FDB33N25TM，确保您设计的电路在性能与效率上的最佳平衡。