驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 15V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1.2V,2.9V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 350mA,650mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 50ns,30ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 14-SOIC(0.209",5.30mm 宽) | 供应商器件封装 | 14-SOP |
FAN7383MX 是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能栅极驱动芯片,专为半桥电路设计,适用于驱动IGBT和N沟道MOSFET。这款驱动器在市场上受到广泛青睐,因其出色的性能和可靠的工作特性,尤其适用于多种应用,如电动汽车、工业控制和可再生能源系统等。
驱动配置:FAN7383MX 采用半桥驱动配置,具备两个驱动器通道,使其能够有效驱动高侧和低侧的MOSFET或IGBT,简化了电路设计。
高压耐受能力:产品的高压侧电压最大值可达600V,确保其在高压应用场景下的稳定性和可靠性。
电源要求:该芯片的供电电压范围为15V到20V,符合高性能驱动器的典型电源需求。
输入信号逻辑电平:FAN7383MX 的逻辑电压门限为VIL = 1.2V 和 VIH = 2.9V,方便与TTL和CMOS等微控制器或数字信号源集成。
输出电流:该驱动器提供高达350mA的灌入电流和650mA的拉出电流,确保快速驱动负载,提高开关速度和工作效率。
快速开关时间:FAN7383MX 的上升时间和下降时间分别为50ns和30ns,说明其具有较快的响应速度,适合高频率开关应用。
宽温工作范围:该芯片的工作温度范围为-40°C至150°C,适合在极端环境下运行,广泛应用于工业和汽车等领域。
封装形式:产品采用14-SOP(表面贴装型)封装,便于在自动化生产中集成,降低生产成本。
FAN7383MX具有极其广泛的应用领域,以下是一些典型的应用场景:
电动汽车:在电动车的电机驱动控制、能量回收以及电池管理系统中,FAN7383MX 可用于驱动高效的功率半导体,提升电能使用效率。
工业自动化:该驱动芯片可用于伺服电机、步进电机控制和各种电源转换器,实现精准的电机控制和稳压功能。
可再生能源:FAN7383MX 也常用于光伏逆变器和风力发电系统中的功率转换模块,确保高效的能量转换。
消费类电子:在大功率音响设备及其他要求高效率的消费电子产品中,FAN7383MX 可用于提供稳定的电源驱动能力。
FAN7383MX 栅极驱动芯片以其高效的驱动能力、宽泛的工作环境和强大的耐压特性,在电子设备和电力系统中展现出了优异的性能。凭借其快速开关时间和极低的功耗,FAN7383MX 是一款非常理想的选择,满足了现代电子设计对高效率和高可靠性的严格需求。对于工程师而言,选用 FAN7383MX 在设计中不仅便于实现高性能电路,同时能够有效缩短设计周期,提高整体的产品竞争力。