MJF18004G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MJF18004G

商品编码: BM0058431043
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
TO-220FP-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.16g
描述 : 
三极管(BJT) 35W 450V 5A NPN TO-220FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
13.1
按整 :
管(1管有50个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥13.1
--
1000+
产品参数
产品手册
产品概述

MJF18004G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)5A
电压 - 集射极击穿(最大值)450V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)750mV @ 500mA,2.5A
电流 - 集电极截止(最大值)100µA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)14 @ 300mA,5V
功率 - 最大值35W频率 - 跃迁13MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包供应商器件封装TO-220FP

MJF18004G手册

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MJF18004G概述

MJF18004G 产品概述

概述

MJF18004G 是一款高性能的 NPN 型功率晶体管,广泛应用于高功率放大器和开关电源等电力电子领域。采用 TO-220FP 封装,具有卓越的散热性能和电气特性,尤其适合于需要高电流和高电压操作的应用场景。该器件由知名半导体制造商 ON Semiconductor(安森美)生产,凭借其优良的功率处理能力和可靠性,为工程师和设计师提供了高效的解决方案。

主要参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极最大电流 (Ic): 5A
  • 集射极最大电压 (Vceo): 450V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大 750mV 在 500mA 和 2.5A 时
  • 集电极截止电流 (Icbo): 最大 100µA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值 14 @ 300mA, 5V
  • 功率处理能力: 最大 35W
  • 频率: 跃迁频率 13MHz
  • 工作温度范围: -65°C 到 150°C (TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装形式: TO-220FP

应用领域

MJF18004G 的高电压和高电流特性使其非常适合用于:

  1. 开关电源:作为开关元件,能够高效转换电压和电流。
  2. 放大器电路:在音频放大器或射频放大器中,提供高功率输出。
  3. 马达驱动:用于驱动高功率马达的开关控制。
  4. 灯光控制:在 LED 驱动和其他灯光控制应用中,提供高效电源转换和控制能力。

性能特点

  • 优越的散热性: TO-220FP 封装设计使得该器件在高功率应用中表现出色,能够有效散热,延长元件和系统的使用寿命。
  • 高效的开关能力: 具备较高的跃迁频率(13MHz),使其在高频应用中依然保持良好性能。
  • 良好的增益特性: DC 电流增益(hFE)可在较低电流条件下保持在 14,表明其在小信号驱动时的高效能。

设计考量

在使用 MJF18004G 进行电路设计时,需要考虑以下几个因素:

  • 热管理: 功率晶体管在工作时会产生热量,适当的散热设计(如使用散热器或者风扇)是确保其可靠性的关键。
  • 电压和电流安全裕度: 在设计电路时,应考虑晶体管的最大工作电压和电流,并设计足够的安全裕度,避免长期工作在极限条件下。
  • 工作环境: 该器件支持从 -65°C 到 150°C 的工作温度范围,适合各种严苛的应用环境。在极端条件下工作时,要注意器件的性能变化。

结论

MJF18004G 是一款技术先进、性能卓越的 NPN 功率晶体管,广泛应用于各种高功率和高电压的电力电子产品。凭借ON Semiconductor的优质制造工艺、优秀的电气特性和适应严酷环境的能力,它为设计者提供了一个可靠的解决方案,在现代电子设计中起到重要的作用。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域,MJF18004G 都是理想的选择。