MJD243T4G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MJD243T4G

商品编码: BM0058431029
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.465g
描述 : 
三极管(BJT) 1.4W 100V 4A NPN DPAK-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.24
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.24
--
100+
¥2.7
--
1250+
¥2.45
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

MJD243T4G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)4A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 200mA,1V
功率 - 最大值1.4W频率 - 跃迁40MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63供应商器件封装DPAK

MJD243T4G手册

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无数据

MJD243T4G概述

产品概述:MJD243T4G NPN晶体管

概述

MJD243T4G是一款高性能的NPN型三极管,专为各种电子电路设计而优化。该器件由知名品牌安森美(ON Semiconductor)制造,具有良好的电气性能和可靠性,广泛应用于开关电源、放大器和驱动电路等多个领域。

主要参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流(Ic):4A
  • 最大集射极击穿电压(Vce(breakdown)):100V
  • 饱和压降(Vce(sat)):600mV(在100mA和1A的Ic条件下)
  • 集电极截止电流(ICBO):最大100nA
  • 直流电流增益(hFE):在200mA和1V情况下最小为40
  • 最大功率:1.4W
  • 频率跃迁:高达40MHz
  • 工作温度范围:-65°C至150°C
  • 封装:DPAK(TO-252-3)

特性与优势

  1. 高电流能力:MJD243T4G能够承受高达4A的集电极电流,适合在需要大电流驱动的应用中使用。

  2. 良好的耐压性能:该晶体管的最大集射极击穿电压为100V,能够有效保护电路免受高压冲击,延长电路的使用寿命。

  3. 低饱和压降:在典型的开关状态下,MJD243T4G提供了低达600mV的饱和压降,从而可以显著提高电路的效率,减少功耗和发热。

  4. 高增益特性:具备较高的直流电流增益,灵活适应各种放大电路的需求,提高了设计的灵活性。

  5. 宽工作温度范围:从-65°C到150°C的广泛工作温度,使得此元器件能够应用于苛刻的环境条件中,包括工业、汽车和航空航天等领域。

  6. 适合表面贴装:DPAK封装形式使MJD243T4G适合现代表面贴装技术(SMT),便于在高密度电路板上使用,减少了设备的体积。

应用场景

MJD243T4G广泛用于各种电子设备和系统,其主要应用场景包括:

  • 开关电源:在电源转换电路中,作为功率开关元件,可以提高转换效率和稳定性。

  • 电机驱动:在电机控制电路中,可以高效驱动大电流电机,广泛应用于工业自动化和家电产品中。

  • 信号放大器:用于音频放大器和其他信号放大输出电路,改善信号传输质量。

  • 汽车电子:在汽车的控制和监测系统中,提供可靠的电流控制和开关功能,有助于提高安全性和性能。

结论

总体而言,MJD243T4G是一款性能卓越、应用广泛的NPN晶体管,具备高电流承载能力和耐高压能力,适合各种动态和静态电路的设计,尤其在需要高效率和高可靠性的应用中更显其价值。安森美为客户提供的高品质产品保证了电子设计在未来的发展中拥有更大的灵活性与创造性。