MGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1G参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.5nC @ 4V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 5V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
MGSF2N02ELT1G手册
MGSF2N02ELT1G概述
MGSF2N02ELT1G 产品概述
产品简介
MGSF2N02ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件在 电源管理、开关电路和信号放大等广泛应用中显示出卓越的性能。其优越的电气性能和温度稳定性使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。
主要规格
- FET类型: N 通道
- 最大漏源电压 (Vdss): 20V
- 连续漏极电流 (Id): 2.8A（在25°C条件下）
- 最大 Rds(on): 85 毫欧 @ 3.6A, 4.5V
- 驱动电压 (Vgs): 可在2.5V和4.5V下实现最佳导通性能
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大1V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 3.5nC @ 4V
- 最大Vgs: ±8V
- 输入电容 (Ciss): 150pF @ 5V
- 最大功率耗散: 1.25W（在环境温度下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装形式: SOT-23-3（TO-236）
技术特点
出色的导通电阻: MGSF2N02ELT1G 在较低的导通电压下提供了非常小的导通电阻 (Rds(on))，这对降低功耗和提升系统效率至关重要。在高电流应用中，低的导通电阻可以有效减少发热，从而提高器件的可靠性。
低阈值电压: 栅极阈值电压（Vgs(th)）仅为最大1V，这使得该 MOSFET 可以在较低电压下启动，尤其适用于需要快速开关的低功耗设备。
紧凑的封装: SOT-23-3封装形式可为设计提供极小的占用空间，适合于高密度板设计。该封装还提供了良好的散热性能，可以有效支持器件在更高功率下的运行。
宽广的工作温度范围: MGSF2N02ELT1G 的工作温度范围极广，从-55°C 至 150°C，使其能够在严苛的工业环境及高温应用中稳定运行。这一特性特别适用于汽车电子、航空航天及其他需要高温稳定性的应用领域。
兼容性与灵活性: 该 MOSFET 设计兼容多种电压和电流条件，因此可以在不同功能块（如电源管理单元、马达驱动、开关电路等）中广泛应用，提供了极高的灵活性。
典型应用
MGSF2N02ELT1G 及其特性使其在多种应用中展现出卓越的表现。它们适用于：
- 电源管理：可用于 DC-DC 转换器和电池管理系统，以实现高效的功率转换。
- 电机驱动：在小型电机或步进电机控制中提供高效开关能力。
- 信号开关：在多路复用器和信号选择电路中作为高速开关。
- 汽车应用：由于其广泛的工作温度范围，适合汽车电子设备和系统。
总结
MGSF2N02ELT1G 是一款高性能、适应性强的 N 通道 MOSFET，符合现代电子设计对元件高效率、低功耗、高温稳定性等方面的要求。凭借其出色的技术规格和多样的应用潜力，该产品是广大工程师和设计师的理想选择。无论是在消费电子、通信设备还是工业应用中，MGSF2N02ELT1G 都能发挥其不可替代的作用。